[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010228923.4
• 申請(qǐng)日: 2001-03-21
• 公開（公告）號(hào): CN101902015A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 西井勝則;井上薰;松野年伸;池田義人;正戶宏幸
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/323
• 分類號(hào): H01S5/323
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于：

是具備有激光器結(jié)構(gòu)體和保護(hù)氧化膜的半導(dǎo)體裝置；激光器結(jié)構(gòu)體形成在襯底上，具有由以式In_xAL_yGa_1-x-yN表達(dá)的多個(gè)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體組成的諧振器；保護(hù)氧化膜形成在所述激光器結(jié)構(gòu)體的側(cè)面區(qū)域，且由所述Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體氧化而生成，所述側(cè)面區(qū)域包含所述諧振器的端面，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1。

2.一種半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于：

具備有以下各工序：

通過在襯底上形成以式In_xAL_yGa_1-x-yN表達(dá)的多個(gè)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層，從而形成含有由所述多個(gè)Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層組成的諧振器的激光器結(jié)構(gòu)體的激光器結(jié)構(gòu)體形成工序，式中0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1；

使所述激光器結(jié)構(gòu)體中的、所述諧振器的兩個(gè)端面顯露出來的工序；

用使包括所述激光器結(jié)構(gòu)體的所述兩個(gè)端面的側(cè)面氧化的辦法，在包含所述兩個(gè)端面的側(cè)面形成由所述Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層氧化生成的保護(hù)氧化膜的氧化膜形成工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置制造方法，其特征在于，所述氧化膜形成工序包含將所述Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體層在氧氣氛中進(jìn)行熱處理的工序。