[發(fā)明專利]集成型半導(dǎo)體激光元件及其制造方法和光裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010228358.1
• 申請(qǐng)日: 2010-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN101938087A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 畑雅幸;竹內(nèi)邦生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三洋電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01S5/40
• 分類號(hào): H01S5/40;G03B21/20;G03B21/00
• 代理公司: 北京尚誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其是接合了第一半導(dǎo)體激光元件和第二半導(dǎo)體激光元件的集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其特征在于，包括：

通過接合形成有多個(gè)所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一長方形基板和形成有多個(gè)所述第二半導(dǎo)體激光元件的第二長方形基板而形成第三長方形基板的工序；和

分割所述第三長方形基板，使得具有沿著諧振器延伸的第一方向延伸的第一側(cè)面和第二側(cè)面的所述第一半導(dǎo)體激光元件的所述第一側(cè)面從形成具有沿著所述第一方向延伸的第三側(cè)面和第四側(cè)面的所述第二半導(dǎo)體激光元件的第三側(cè)面的位置突出，并且與所述第三側(cè)面相反側(cè)的所述第四側(cè)面從與所述第一側(cè)面相反側(cè)的所述第二側(cè)面突出的工序，

所述第一長方形基板沿著所述第一方向和與所述基板面內(nèi)方向垂直的第二方向排列形成有多個(gè)所述第一半導(dǎo)體激光元件，

所述第二長方形基板沿著所述第二方向排列形成有多個(gè)所述第二半導(dǎo)體激光元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其特征在于：

所述形成第三長方形基板的工序包括：接合第一半導(dǎo)體激光元件基板與第二半導(dǎo)體激光元件基板的工序；和在接合了所述第一半導(dǎo)體激光元件基板與所述第二半導(dǎo)體激光元件基板的狀態(tài)下，將所述第一半導(dǎo)體激光元件基板與所述第二半導(dǎo)體激光元件基板同時(shí)分割的工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其特征在于：

所述集成型半導(dǎo)體激光元件中，所述第一半導(dǎo)體激光元件的第一表面和所述第二半導(dǎo)體激光元件接合，并且所述第一表面的第一突出區(qū)域從所述第二半導(dǎo)體激光元件露出，

所述集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法還包括在形成所述第三長方形基板的工序之前，在所述第一突出區(qū)域形成第一電極的工序，

在分割所述第三長方形基板的工序中，使所述第一電極從所述第二半導(dǎo)體激光元件露出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其特征在于：

所述第一長方形基板和所述第二長方形基板分別具有諧振器面，

所述集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法還包括在分割所述第三長方形基板的工序之前，在所述諧振器面上形成保護(hù)膜的工序。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其特征在于：

該集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法還包括：

在分割所述第三長方形基板之前，

在所述第一長方形基板上形成用于形成所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面的第一分割槽的工序；和

在所述第二長方形基板的與接合有所述第一長方形基板的第二表面相反側(cè)的表面上，形成用于形成所述第三側(cè)面和所述第四側(cè)面的第二分割槽的工序，

所述第二分割槽形成在從與所述第一分割槽相對(duì)的位置偏移的位置上。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其特征在于：

該集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法還包括：

在接合所述第一半導(dǎo)體激光元件基板和所述第二半導(dǎo)體激光元件基板之前，

通過沿著所述第二方向以第一周期形成多個(gè)所述第一半導(dǎo)體激光元件，制作所述第一半導(dǎo)體激光元件基板的工序；

通過沿著所述第二方向以第二周期形成多個(gè)所述第二半導(dǎo)體激光元件，制作所述第二半導(dǎo)體激光元件基板的工序；和

為了接合所述第一半導(dǎo)體激光元件基板和所述第二半導(dǎo)體激光元件基板進(jìn)行定位的工序，

在所述第一半導(dǎo)體激光元件基板的熱膨脹系數(shù)比所述第二半導(dǎo)體激光元件基板的熱膨脹系數(shù)小的情況下，在所述進(jìn)行定位的工序的溫度下的所述第一周期大于所述溫度下的所述第二周期。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的集成型半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其特征在于：

還包括為了接合所述第一半導(dǎo)體激光元件基板和所述第二半導(dǎo)體激光元件基板進(jìn)行定位的工序，

所述制作第一半導(dǎo)體激光元件基板的工序包括在所述第一半導(dǎo)體激光元件基板上沿著第三方向以第三周期形成在所述進(jìn)行定位的工序中使用的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的工序，

制作所述第二半導(dǎo)體激光元件基板的工序包括在所述第二半導(dǎo)體激光元件基板上沿著第三方向以第四周期形成在所述進(jìn)行定位的工序中使用的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的工序，

在所述進(jìn)行定位的工序的溫度下的所述第三周期與所述溫度下的所述第四周期相等。