[發明專利]具有垂直各向異性自由層和側向屏蔽構件的磁傳感器

無效

• 申請號: 201010227067.0
• 申請日: 2010-06-29
• 公開（公告）號: CN101958123A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: D·V·季米特洛夫;Z·高;丁元俊;P·E·安德森;O·G·海諾寧
• 申請（專利權）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39;G11B5/33
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 劉佳

1.一種隧道磁阻讀取器，包括：

將上磁屏蔽構件與下磁屏蔽構件分隔開的傳感器疊層，所述傳感器疊層包括具有基準磁化方向的基準磁性元件、具有與所述基準磁化方向基本垂直的自由磁化方向的自由磁性元件、以及將所述基準磁性元件與所述自由磁性元件分隔開的非磁性間隔層；以及

設置在所述上磁屏蔽構件與下磁屏蔽構件之間的第一側向磁屏蔽構件和第二側向磁屏蔽構件，所述傳感器疊層在所述第一側向磁屏蔽構件與所述第二側向磁屏蔽構件之間，且所述第一側向磁屏蔽構件和所述第二側向磁屏蔽構件包括使所述上磁屏蔽構件與下磁屏蔽構件電絕緣的電絕緣層。

2.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述自由磁性元件包括CoFeB層和TbCoFe、FePt、CoPt或MnAl層。

3.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述非磁性間隔層是氧化物材料。

4.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述基準磁性元件包括利用反鐵磁層穩定化的合成反鐵磁體。

5.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述自由磁性層的長度小于所述基準磁性元件的長度。

6.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述基準磁性元件包括利用反鐵磁層穩定化的被釘扎層。

7.如權利要求6所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述自由磁性層的長度小于所述基準磁性元件的長度。

8.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述基準磁性元件包括利用硬磁層穩定化的被釘扎層。

9.如權利要求8所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述自由磁性層的長度小于所述基準磁性元件的長度。

10.如權利要求8所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述被釘扎層包括CoFeB，而所述硬磁層包括CoPt、CoCrPt或FePt。

11.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述第一側向磁屏蔽構件和第二側向磁屏蔽構件包括被非磁性間隔層分隔開的多個磁性層。

12.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述非磁性間隔層是電絕緣的。

13.如權利要求1所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述非磁性間隔層是導電的。

14.一種隧道磁阻讀取器，包括：

在上磁屏蔽構件與下磁屏蔽構件之間的傳感器疊層，所述傳感器疊層包括具有基準磁化方向的基準磁性元件、具有與所述基準磁化方向基本垂直的自由磁化方向的自由磁性元件、以及將所述基準磁性元件與所述自由磁性元件分隔開的非磁性間隔層；以及

將所述上磁屏蔽構件與下磁屏蔽構件分隔開的第一側向磁屏蔽構件和第二側向磁屏蔽構件，所述傳感器疊層在所述第一側向磁屏蔽構件與所述第二側向磁屏蔽構件之間，且所述第一側向磁屏蔽構件和所述第二側向磁屏蔽構件包括被間隔層分隔開的兩個或多個磁性層。

15.如權利要求14所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述非磁性間隔層是電絕緣的。

16.如權利要求14所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述非磁性間隔層是導電的。

17.如權利要求14所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述自由磁性層的長度小于所述基準磁性元件的長度。

18.一種隧道磁阻讀取器，包括：

在上磁屏蔽構件與下磁屏蔽構件之間的傳感器疊層，所述傳感器疊層包括具有基準磁化方向的基準磁性元件、具有與所述基準磁化方向基本垂直的自由磁化方向的自由磁性元件、以及將所述基準磁性元件與所述自由磁性元件分隔開的非磁性間隔層，所述基準磁性元件包括兩個或多個磁性層；以及

將所述上磁屏蔽構件與下磁屏蔽構件分隔開的第一側向磁屏蔽構件和第二側向磁屏蔽構件，所述傳感器疊層在所述第一側向磁屏蔽構件與所述第二側向磁屏蔽構件之間，且所述第一側向磁屏蔽構件和所述第二側向磁屏蔽構件包括被間隔層分隔開的兩個或多個磁性層。

19.如權利要求18所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述基準磁性元件包括利用反鐵磁層穩定化的合成反鐵磁體。

20.如權利要求18所述的隧道磁阻讀取器，其特征在于，所述基準磁性元件包括利用硬磁層穩定化的被釘扎層。