[發(fā)明專利]金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010226312.6
• 申請日: 2010-07-08
• 公開（公告）號: CN101950728A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發(fā)明（設計）人: 曾明鴻;連永昌;陳承先;郭正錚
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

形成一保護層于一半導體基板之上；

形成一導電層于該保護層之上；

提供經(jīng)圖案化與經(jīng)過蝕刻的一阻劑層于該導電層之上，該阻劑層中定義有至少一開口；

沉積一金屬層于該至少一開口內(nèi)；

沿著介于該阻劑層與該金屬層間的一或多個界面蝕刻部分的該阻劑層，以形成多個凹穴；

沉積一焊錫材料于該至少一開口內(nèi)，該焊錫材料填入所述多個凹穴內(nèi)以及高于該金屬層的該開口的一部內(nèi)；

移除剩余的該阻劑層與未形成于該金屬層之下的該導電層；以及

回焊該焊錫材料以包覆該金屬層。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該保護層具有擇自由一氧化物、未摻雜硅玻璃、聚亞酰胺、氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅所組成族群內(nèi)的一材料。

3.如權(quán)利要求1所述的金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該導電層包括了鈦或銅，該金屬層包括銅或銅合金。

4.如權(quán)利要求1所述的金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法，還包括形成一金屬阻障層于該金屬層之上。

5.如權(quán)利要求1所述的金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法，其中該阻劑層經(jīng)過包括CF₄、氬氣、氧氣、氮氣或CHF₃的一氣體、介于約50-150℃的一溫度、約800-1000瓦特的施行功率及約40秒至1分鐘的施行時間的蝕刻條件的蝕刻。

6.如權(quán)利要求1所述的金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)的形成方法，其中回焊該焊錫材料包覆了該導電層。

7.一種金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)，包括：

一保護層，形成于一半導體基板之上；

一導電層，形成于該保護層之上；

一金屬層，形成于該導電層之上；以及

一焊錫材料層，包覆該金屬層。

8.如權(quán)利要求7所述的金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)，其中該保護層具有擇自由一氧化物、未摻雜硅玻璃、聚亞酰胺、氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅所組成族群內(nèi)的一材料。

9.如權(quán)利要求7所述的金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)，其中該導電層包括了鈦或銅，該金屬層包括銅或銅合金，而該焊錫材料包覆了該導電層。

10.如權(quán)利要求7所述的金屬柱凸塊結(jié)構(gòu)，還包括一金屬阻障層，形成于該金屬層之上。