[發明專利]單晶金剛石生長用基材及單晶金剛石基板的制造方法無效
| 申請號： | 201010226112.0 | 申請日： | 2010-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN102031561A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 野口仁 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/04 | 分類號： | C30B29/04;C30B25/18;C30B29/06;C23C14/08;C23C14/30;C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金剛石 生長 基材 制造 方法 | ||
1.一種單晶金剛石生長用基材，是用于使單晶金剛石生長的基材，其特征在于，至少由單晶硅基板、在該單晶硅基板的使所述單晶金剛石生長的一側異質外延生長的MgO膜、在MgO膜上異質外延生長的銥膜或銠膜構成。
2.根據權利要求1所述的單晶金剛石生長用基材，其特征在于，所述單晶硅基板的厚度為0.03mm～20.00mm。
3.根據權利要求1或2所述的單晶金剛石生長用基材，其特征在于，所述MgO膜是在所述單晶硅基板上用濺射法或電子束蒸鍍法異質外延生長的膜。
4.根據權利要求1至3中的任一項所述的單晶金剛石生長用基材，其特征在于，所述MgO膜的厚度為～100μm。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的單晶金剛石生長用基材，其特征在于，所述銥膜或銠膜是在所述MgO膜上用濺射法異質外延生長的膜。
6.根據權利要求1至5中的任一項所述的單晶金剛石生長用基材，其特征在于，所述銥膜或銠膜的厚度為～100μm。
7.根據權利要求1至6中的任一項所述的單晶金剛石生長用基材，其特征在于，所述銥膜或銠膜的表面實施了偏壓處理。
8.一種單晶金剛石基板的制造方法，其特征在于，至少具有以下工序：
準備單晶硅基板的工序，
在該準備的單晶硅基板上使MgO膜異質外延生長的工序，
在該異質外延生長的MgO膜上使銥膜或銠膜異質外延生長的工序，
在該異質外延生長的銥膜或銠膜上使單晶金剛石異質外延生長的工序，
將該異質外延生長的單晶金剛石分離，得到單晶金剛石基板的工序。
9.根據權利要求8所述的單晶金剛石基板的制造方法，其特征在于，在所述使單晶金剛石異質外延生長的工序之前，預先對使所述單晶金剛石異質外延生長的面實施偏壓處理。
10.根據權利要求8或9所述的單晶金剛石基板的制造方法，其特征在于，在所述使單晶金剛石異質外延生長的工序中，通過微波化學氣相沉積法或直流等離子體化學氣相沉積法使單晶金剛石異質外延生長。
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