[發明專利]用于太陽能電池制作的金屬化方法無效
| 申請號: | 201010225947.4 | 申請日: | 2010-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN102332484A | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發明(設計)人: | 哈特穆特·納斯鮑墨爾 | 申請(專利權)人: | 雷納有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/05;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京金恒聯合知識產權代理事務所 11324 | 代理人: | 李強 |
| 地址: | 德國古*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 太陽能電池 制作 金屬化 方法 | ||
1.一種制作太陽能電池(1;10;20)的金屬化方法,包括:
在一個太陽能電池基板(2)上將要進行金屬化處理的部位(60a、60b)覆上(30)一層含有摻雜物的介質(56);
在太陽能電池基板上將要進行金屬化處理的部位(60a、60b)進行局部加熱(32),以使摻雜物從含有摻雜物的介質(56)中局部擴散到太陽能電池基板(2)的內部;以及
在將要進行局部摻雜擴散處理的部位(32)的將要進行金屬化處理的部位(60a、60b),進行金屬(12)的電淀積處理(34),且所述將要進行金屬化處理的部位(60a、60b)被用作電淀積處理(34)的電極。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述局部加熱(32)借助激光器(53)進行。
3.如權利要求2所述的方法,其中用一種含摻雜物的溶液(56)作為含有摻雜物的介質(56),且所述激光器(53)的激光光束(54)在所述含摻雜物的溶液(56)內進行操作。
4.如權利要求1所述的方法,其中所述局部加熱(32)借助激光器(53)進行,且所述激光器(53)的激光光束(54)在一個光波導(66)內進行操作,所述光波導至少部分地被設置在含所述摻雜物的一種溶液(56)內,且含所述摻雜物的所述溶液被作為含有摻雜物的介質(56)。
5.如前述權利要求中的任何一項所述的方法,其中用一種磷酸溶液(56)作為含有摻雜物的介質(56)。
6.如前述權利要求中的任何一項所述的方法,其中用至少一個激光光束(54)在將要進行金屬化處理的太陽能電池基板(2)的至少一部分表面(52)上進行操作(36)一進行局部加熱(32)。
7.如權利要求6所述的方法,其中
形成(20,32,34)了包括電極金屬指形部(3)與至少一根匯流條(15a、15b;25)的一個電極網(3,15a,15b;3,25),
所述匯流條具有多個至少區段地彼此間隔配置的匯流條金屬指形部(9a,9b;19),
激光光束(54)在太陽能電池基板(2)的將要進行金屬化處理的表面(52)上,在將要形成多個至少區段地彼此間隔配置的匯流條金屬指形部(9a,9b;19)的部位,按照所要求的金屬指形部加工過程(60a,60b),在太陽能電池基板(2)的表面(52)上進行操作(36),且
所述激光光束(54),在將要形成(20,32,34)多個彼此間隔配置的匯流條金屬指形部(9a,9b;19)的各區段(60a,60b)以無重復的方式在太陽能電池基板(2)的表面(52)上進行操作(36)。
8.如權利要求7所述的方法,其中為了形成至少一根匯流條,彼此間隔配置的金屬指形部被以局部聚集的方式設置。
9.如權利要求7所述的方法,其中所述匯流條金屬指形部(19)在一有源太陽能電池表面(7)上被均勻的配置。
10.一種具有一個電極網的太陽能電池,其中所述電極網是利用如權利要求7-9中的任何一項所述的方法制成的。
11.具有一個電極網(3,15a,15b;3,25)的太陽能電池(10;20),該電極網具有電極金屬指形部(3)與至少一根匯流條(15a,15b;25),且多個電極金屬指形部(3)通過至少一根匯流條(15a,15b;25)而彼此電連接,且所述至少一根匯流條(15a,15b;25)包括多個電極金屬指形部(3)以輸送所產生的電流,其中,至少一根匯流條(15a,15b;25)具有多個至少區段地彼此間隔配置的匯流條金屬指形部(9a,9b;19)并分別至少有一部分由電淀積金屬(12)構成且分別具有最多十倍于一根所述電極金屬指形部(3)的寬度的寬度。
12.如權利要求11所述的太陽能電池(10;20),其中所述多個至少區段地彼此間隔配置的匯流條金屬指形部(9a,9b;19)分別具有最多五倍于一根所述電極金屬指形部(3)的寬度的寬度,且優選地是具有最多三倍于一根所述電極金屬指形部(3)的寬度的寬度。
13.如權利要求11或12所述的太陽能電池(10;20),其中所述匯流條金屬指形部(9a,9b;19)具有大約與電極金屬指形部(3)相同的寬度,優選地是小于100微米的寬度,更優選地是小于60微米的寬度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





