[發(fā)明專利]一種帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器

無效

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• 申請日: 2010-07-13
• 公開（公告）號: CN101895059A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬忠良;薄報學;張斯玉;高欣;曲軼;蘆鵬;李占國;李輝;劉國軍;李梅;王玉霞
• 申請（專利權(quán)）人: 長春理工大學
• 主分類號: H01S5/065
• 分類號: H01S5/065;H01S5/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于器件的結(jié)構(gòu)和制作方法。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在傳統(tǒng)激光器外延片上光刻出圖1中4、6所標示區(qū)域的圖形，4區(qū)域長為500um，寬為10-120um；6區(qū)域長為50-500um，寬為4-200um；圖1中4、6所標示的區(qū)域被光刻膠保護，未被光刻膠保護的所標示區(qū)域5被刻蝕0.3-1um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在完成(1)的基礎(chǔ)上，在整個做光刻圖形的激光器外延片上濺射0.2-0.35um厚的掩蔽膜，然后使用傳統(tǒng)lift?off工藝剝離掉圖1中4、6所標示區(qū)域上的光刻膠及其上的掩蔽膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在完成步驟(2)的基礎(chǔ)上，在激光器的外延片上光刻出圖1中所標示的4，即經(jīng)過光刻后5、6上留有光刻膠，4上無光刻膠，5區(qū)域的長為50-500um，寬為150-248um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在完成步驟(3)的基礎(chǔ)上，刻蝕掉圖1中4區(qū)域0-0.8um，并在整個所做光刻圖形的激光器外延片上濺射0.2-0.35um厚的掩蔽膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在完成步驟(4)的基礎(chǔ)上，使用傳統(tǒng)lift?off工藝剝離圖1中5、6所標示區(qū)域上的光刻膠及其上的掩蔽膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在步驟(5)的基礎(chǔ)上，在所制作的圖形上制備15/25/350nm的Ti/Pt/Au的P面電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在步驟(6)的基礎(chǔ)上，N面減薄到90-130um后，在其上制備20/150/15/25/350nm的Ni/AuGe/Ti/Pt/Au?N面電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在步驟(7)的基礎(chǔ)上，在合金爐內(nèi)450℃恒溫10秒后急速冷卻至常溫，取出解理，以圖1中4與6的長度和及其結(jié)構(gòu)作為解理周期，即以2-10個4和6構(gòu)成的周期結(jié)構(gòu)長度解理半導體激光器外延片。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶有模式濾波器的高亮度條形半導體激光器的結(jié)構(gòu)及制作方法，其特征在于，在步驟(8)的基礎(chǔ)上，裝架鍍膜，在出光的前腔面鍍透過率不小于98％的增透膜，后腔面鍍反射率不小于94％的高反射膜。