[發明專利]具備密封層的半導體器件及半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 201010222790.X
• 申請日: 2010-07-02
• 公開（公告）號: CN101944519A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 定別當裕康
• 申請（專利權）人: 卡西歐計算機株式會社
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/522;H01L21/60;H01L21/768
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種半導體器件，包括：

半導體芯片(11)，具有電極(12)；

接線柱(40)；

密封層(70)，密封上述半導體芯片(11)及上述接線柱(40)；

第一布線(33)，設在上述密封層(70)的一個面上，與上述電極(12)及上述接線柱(40)電連接；以及

第二布線(83)，設在上述密封層(70)的另一個面上，與上述接線柱(40)電連接；

該半導體器件具有將上述第一布線(33、36)與上述接線柱(40)電連接的通孔導體(35a)以及將上述第二布線(83)與上述接線柱(40)電連接的通孔導體(85a)中的至少某一個，

上述接線柱(40)與上述通孔導體相互接觸的界面上的上述接線柱(40)的面積，比上述界面上的上述通孔導體的面積大。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，具備：

第一絕緣膜(30)，設在上述密封層(70)與上述第一布線(33)之間；以及

第二絕緣膜(80)，設在上述密封層(70)與上述第二布線(83)之間。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中，

上述第一布線(33)埋入在上述第一絕緣膜(30)的固定了上述半導體芯片(11)的面中。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其中，

在上述第一布線(33)中，在配置上述半導體芯片(11)的電極(12)的位置設有貫通孔。

5.如權利要求3或4所述的半導體器件，其中，

在上述第一布線中，在配置上述接線柱的位置設有貫通孔。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其中，

上述第二布線埋入在上述第二絕緣膜的固定上述半導體芯片的面中。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中，

在上述第二布線中，在配置上述接線柱的位置設有貫通孔。

8.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

通過密封層(70)將具有電極(12)的半導體芯片(11)和接線柱(40)密封；

在上述密封層(70)的一個面，形成與上述電極(12)電連接的第一布線(33)；

在上述密封層(70)的另一個面形成第二布線(83)，通過上述接線柱(40)將上述第一布線(33)和上述第二布線(83)電連接。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其中，

上述半導體芯片(11)和上述接線柱(40)形成在第一絕緣膜(30)上。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，

在第一基材(101)上形成上述第一絕緣膜(30)以及導體層(41)；

在第二基材(102)上形成第二絕緣膜(80)；

對上述導體層(41)進行構圖而形成接線柱(40)；

在上述第一絕緣膜(30)的形成了上述接線柱(40)的面上接合半導體芯片(11)；

在上述接線柱(40)的上部配置熱固化性樹脂片(70a)，并且在上述熱固化性樹脂片(70a)及上述半導體芯片(11)的上部配置上述第二絕緣膜(80)及上述第二基材(102)而一體成形；

去除上述第一基材(101)以及上述第二基材(102)；

從上述第一絕緣膜(30)側對上述接線柱(40)及上述半導體芯片(11)的電極(12)形成通孔(21、31、32、72)，并且從上述第二絕緣膜(80)側形成通孔(71、81、82)；

在上述第一絕緣膜(30)及上述第二絕緣膜(80)上對第一布線及第二布線進行構圖。

11.如權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其中，

在第一基材(101)上形成上述第一絕緣膜(30)及導體層(41)的工序包括：在上述導體層上對埋入上述第一絕緣膜的布線進行構圖之后，與上述第一絕緣膜一體成形。

12.如權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其中，

包括：在上述第二基材(102)上形成上述第二絕緣膜(80)之后將導體層層疊并一體成形的工序，并包括：上述熱固化性樹脂片(70a)配置在上述接線柱(40)的上部并且配置在上述第一絕緣膜的上部且上述半導體芯片之間。