[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010222525.1
• 申請(qǐng)日: 2010-07-02
• 公開（公告）號(hào): CN101944485A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平;佐佐木俊成;坂田淳一郎;大原宏樹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/786;H01L21/324;H01L21/28
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 崔成哲

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在具有絕緣表面的襯底上形成絕緣層；

對(duì)所述絕緣層進(jìn)行脫水化或脫氫化；

在所述絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層；

對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行脫水化或脫氫化；

在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成源電極層及漏電極層；

在所述絕緣層、所述氧化物半導(dǎo)體層、所述源電極層及所述漏電極層上與所述氧化物半導(dǎo)體層的一部分接觸地形成氧化物絕緣膜；以及

對(duì)所述氧化物絕緣膜進(jìn)行加熱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下步驟：

在形成所述絕緣層之前，在所述襯底上形成柵電極層，

其中，所述絕緣層是柵極絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述絕緣層的所述脫水化或脫氫化在氮?dú)夥铡⑾∮袣怏w氣氛或減壓下進(jìn)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述氧化物半導(dǎo)體層的所述脫水化或脫氫化在氮?dú)夥铡⑾∮袣怏w氣氛或減壓下進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中所述氧化物半導(dǎo)體層的所述脫水化或脫氫化以400℃以上的溫度進(jìn)行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行所述脫水化或脫氫化之后對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行冷卻。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行所述脫水化或脫氫化之后對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層以室溫以上且低于100℃的溫度進(jìn)行緩冷。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過進(jìn)行所述氧化物半導(dǎo)體層的所述脫水化或脫氫化，使所述氧化物半導(dǎo)體層的載流子濃度提高，并且通過形成所述氧化物絕緣膜，使所述氧化物半導(dǎo)體層的載流子濃度降低。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中以150℃以上且低于350℃的溫度對(duì)所述氧化物絕緣膜進(jìn)行加熱。

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：

在具有絕緣表面的襯底上形成絕緣層；

對(duì)所述絕緣層進(jìn)行加熱；

在所述絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層；

對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱；

在所述氧化物半導(dǎo)體層上形成源電極層及漏電極層；

在所述絕緣層、所述氧化物半導(dǎo)體層、所述源電極層及所述漏電極層上與所述氧化物半導(dǎo)體層的一部分接觸地形成氧化物絕緣膜；以及

對(duì)所述氧化物絕緣膜進(jìn)行加熱。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，還包括如下步驟：

在形成所述絕緣層之前，在所述襯底上形成柵電極層，

其中，所述絕緣層是柵極絕緣層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在氮?dú)夥铡⑾∮袣怏w氣氛或減壓下對(duì)所述絕緣層進(jìn)行加熱。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在氮?dú)夥铡⑾∮袣怏w氣氛或減壓下對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中以400℃以上的溫度對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱之后對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行冷卻。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱之后在室溫以上且低于100℃的溫度下對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行緩冷。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中通過對(duì)所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱，使所述氧化物半導(dǎo)體層的載流子濃度提高，并且通過形成所述氧化物絕緣膜，使所述氧化物半導(dǎo)體層的載流子濃度降低。

18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中以150℃以上且低于350℃的溫度對(duì)所述氧化物絕緣膜進(jìn)行加熱。