[發明專利]有機發光二極管顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010222030.9
• 申請日: 2010-07-05
• 公開（公告）號: CN101944537A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 金成虎;李一正;權度縣;任忠烈;丁憙星;李樹美
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L21/82
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 陳萬青;王珍仙

1.一種有機發光二極管顯示裝置，包括：

包括發光區和非發光區的基板；

布置在所述基板上的緩沖層；

布置在所述緩沖層上非發光區中的半導體層；

布置在所述基板整個表面上的柵絕緣層；

布置在所述柵絕緣層上發光區中的第一電極；

布置在所述柵絕緣層上非發光區中的柵極；

布置在所述基板整個表面上并部分暴露所述第一電極的夾層絕緣層；

布置在所述夾層絕緣層上并電連接所述半導體層和所述第一電極的源極和漏極；

布置在所述基板整個表面上并部分暴露所述第一電極的保護層；

布置在所述第一電極上的有機層；和

布置在所述基板整個表面上的第二電極。

2.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一電極由透明導電氧化物類材料構成。

3.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵絕緣層由包括氧化硅層和氮化硅層的多層構成。

4.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述柵絕緣層包括依次堆疊的第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。

5.如權利要求4所述的顯示裝置，其中所述第一和第二氧化硅層以及所述氮化硅層中的每個層具有范圍內的厚度。

6.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述緩沖層是單層或多層。

7.如權利要求1所述的顯示裝置，其中所述緩沖層包括選自由SiO₂、SiN_x、TiO₂、HfO₂、Al₂O₃、SiO_x、Ta₂O₅、Nb₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、La₂O₃或氧化鋁鋅組成的組中的一種化合物。

8.一種有機發光二極管顯示裝置，包括：

包括發光區和非發光區的基板；

布置在所述基板上的緩沖層；

布置在所述緩沖層上非發光區中的半導體層；

布置在所述基板整個表面上的柵絕緣層；

布置在所述柵絕緣層上發光區中的第一電極；

布置在所述柵絕緣層上非發光區中的柵極；

布置在所述基板整個表面上并部分暴露所述第一電極的夾層絕緣層；

布置在所述夾層絕緣層上并電連接所述半導體層和所述第一電極的源極和漏極；

布置在所述基板整個表面上并部分暴露所述第一電極的保護層；

布置在所述第一電極上的有機層；和

布置在所述基板整個表面上的第二電極，

其中接觸層被插入在所述第一電極與所述源極和漏極之間。

9.如權利要求8所述的顯示裝置，其中所述第一電極由透明導電氧化物類材料構成。

10.如權利要求8所述的顯示裝置，其中所述柵絕緣層由包括氧化硅層和氮化硅層的多層構成。

11.如權利要求8所述的顯示裝置，其中所述柵絕緣層包括依次堆疊的第一氧化硅層、氮化硅層和第二氧化硅層。

12.如權利要求11所述的顯示裝置，其中所述第一和第二氧化硅層以及所述氮化硅層中的每個層具有范圍內的厚度。

13.如權利要求8所述的顯示裝置，其中所述緩沖層是單層或多層。

14.如權利要求8所述的顯示裝置，其中所述緩沖層包括選自由SiO₂、SiN_x、TiO₂、HfO₂、Al₂O₃、SiO_x、Ta₂O₅、Nb₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、La₂O₃和氧化鋁鋅組成的組中的一種化合物。