[發明專利]一種制備氮摻雜TiO2光催化薄膜的方法無效
| 申請號: | 201010221604.0 | 申請日: | 2010-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN101884938A | 公開(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發明(設計)人: | 潘春旭;江旭東;王永錢 | 申請(專利權)人: | 武漢大學 |
| 主分類號: | B01J37/02 | 分類號: | B01J37/02;B01J21/06;C23C8/36;C25D11/26 |
| 代理公司: | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 張火春 |
| 地址: | 430072*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 摻雜 tio sub 光催化 薄膜 方法 | ||
1.一種氮摻雜TiO2光催化薄膜的制備方法,其特征在于:首先采用離子滲氮工藝對金屬鈦或鈦合金表面進行滲氮處理,之后再采用微弧氧化技術在滲氮后的金屬鈦或鈦合金基體表面上原位生長氮摻雜TiO2薄膜。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,具體包括如下步驟:
1)離子滲氮:選擇拋光處理后的金屬鈦或鈦合金放入通有氨氣的離子滲氮爐中,爐腔保持負壓;金屬鈦或鈦合金作為陰極材料,爐體作為陽極材料,在陰陽極間施加電壓產生輝光放電作用,控制溫度700~900℃,恒溫時間5~15h,在金屬鈦或鈦合金表面形成一個滲氮層;
2)微弧氧化:把表面滲氮處理后的金屬鈦或鈦合金作為陽極,不銹鋼板作為陰極材料,置于電解液中,電解液溫度控制在40℃以下;在200~400V脈沖電壓下作用5~60min,在金屬鈦或鈦合金基體表面生成氮摻雜TiO2薄膜。
3.如權利要求2所述的制備方法,其特征在于:離子滲氮步驟中,待溫度下降到100~180℃再取出鈦或鈦合金。
4.如權利要求2所述的制備方法,其特征在于:微弧氧化步驟中,所述電解液為無水碳酸鈉和九水硅酸鈉的混合溶液,其中無水碳酸鈉的質量濃度為15~30g/L,九水硅酸鈉的質量濃度為5~15g/L。
5.權利要求1~4任一項所制備的氮摻雜TiO2薄膜用于光催化凈化領域。
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