[發明專利]制造半導體器件的方法、半導體器件以及半導體制造設備有效
| 申請號: | 201010221190.1 | 申請日: | 2010-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN101964308A | 公開(公告)日: | 2011-02-02 |
| 發明(設計)人: | 別宮史浩 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/3205 | 分類號: | H01L21/3205;H01L23/485 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 孫志湧;穆德駿 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制造 半導體器件 方法 以及 半導體 設備 | ||
本申請基于日本專利申請No.2009-172477,其內容通過引用結合于此。
技術領域
本發明涉及一種制造半導體器件的方法、由此制造的半導體器件以及半導體制造設備,該半導體器件具有被構造為樹脂核的外部連接端子以及其上形成的導電膜。
背景技術
為了便于在安裝基板上安裝半導體器件,半導體器件具有外部連接端子,例如在其上形成的凸塊。由半導體器件擁有的電路通過外部連接端子而連接到安裝基板上的諸如焊盤的電極。為了將半導體器件正確安裝到安裝基板上,外部連接端子的頂表面優選具有相同的高度水平。更具體地說,由于安裝基板上的電極表面是平坦的,以及在單個安裝基板中具有均勻高度(相同的高度水平),使得連接到電極的半導體器件的外部連接端子的頭部需要是平坦的,并且以相同的高度水平對準。
另一方面,近年來,提出了一種通過樹脂核和其上形成的導電膜構造的外部連接端子(例如,日本特開專利公布No.2009-49226和No.2007-48971)。具體地,后一個公開(No.2007-48971)描述了一種制造半導體器件的方法,其中,通過在以后給定為核的樹脂突起上方形成導電層,并通過檢查端子的成型表面,沖壓該樹脂突起,同時在其之間放置導電層,來形成凸塊。為了使半導體器件的外部連接端子的頭部平坦并且以相同的高度水平對準,需要使樹脂突起的頭部平坦并且以相同的高度水平對準。
發明內容
根據日本特開專利公布No.2007-48971中描述的技術,在熱固性樹脂被固化之后,以及還在形成導電層之后,成型樹脂凸部。因此樹脂凸部的成型需要一定的壓力級別。因此,預料到在樹脂凸部的成型處理中,導電膜可能變形,并且由此該導電膜可能斷裂或破裂,從而電阻率增加,并且外部連接端子與安裝基板之間的連接可靠性可能劣化。
在一個實施例中,提供一種制造半導體器件的方法,所述方法包括在具有保護絕緣膜的半導體基板上方形成多個外部連接端子,在保護絕緣膜中形成多個開口,以及在多個開口中分別暴露多個電極焊盤。
所述形成多個外部連接端子,包括:
通過在保護絕緣膜上方選擇性地形成可固化的樹脂層,來形成多個凸部,所述多個凸部以后分別給定為多個外部連接端子的核;
在該凸部被固化之前,通過將具有平坦表面的成型夾具壓在頂表面上,來在多個凸部的頂表面上分別形成平坦部,;
固化該多個凸部;以及
通過在多個凸部、保護絕緣膜以及多個電極焊盤上方選擇性地形成導電膜,來形成多個外部連接端子以及多個互連,所述多個互連分別將多個外部連接端子連接到電極焊盤。
根據該實施例,在構成凸部的樹脂被固化之前,以及也在凸部上方形成導電膜之前,通過將成型夾具壓到凸部,來在凸部的頂表面上形成平坦部。因此,可以防止在構成外部連接端子的導電膜斷裂或破裂以使得電阻率增加,并且由此可以防止外部連接端子與安裝基板之間的連接可靠性劣化。
在另一實施例中,提供一種半導體器件,包括:
保護絕緣膜;
多個開口,所述多個開口形成在保護絕緣膜中;
多個電極焊盤,所述多個電極焊盤分別位于多個開口處;
多個外部連接端子,所述多個外部連接端子形成在保護絕緣膜上方;以及
多個互連,所述多個互連分別將多個外部連接端子連接到電極焊盤。
所述外部連接端子還分別包括:
凸部,所述凸部由樹脂構成;以及
導電膜,所述導電膜形成在凸部上并連接到互連。
多個外部連接端子的凸部分別包括以相同的高度水平對準的平坦頂表面。
在另一實施例中,還提供一種半導體制造設備,包括:
載物臺(stage),在所述載物臺上放置半導體基板;
成型夾具,所述成型夾具被設置成與載物臺相對,同時在所述載物臺與所述成型夾具之間放置半導體基板,并且具有與載物臺相對的平坦相對表面;以及
移動機構,所述移動機構將載物臺和成型夾具的至少一個向另一個移動。
因此,該實施例可以抑制構成外部連接端子的導電膜斷裂和破裂以使電阻率增加,并且由此可以成功地抑制外部連接端子與安裝基板之間的連接可靠性被劣化。
附圖說明
從下面結合附圖對某些優選實施例進行的描述,將使本發明的上述及其他目的、優點和特點更明顯,在附圖中:
圖1A至4是示出根據第一實施例的半導體器件的制造方法的各個步驟的截面圖;
圖5是示出圖1B和2A中所示的步驟中使用的半導體制造設備的構造圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于瑞薩電子株式會社,未經瑞薩電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010221190.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:引線接合結構
- 下一篇:具有凹道的滑動器結合墊
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





