[發(fā)明專利]一種太陽能電池片的減反射膜及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010219117.0
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN102315283A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙科雄;胡宇寧;馮克光;姜俊剛;范建都;韓志強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/455;C23C16/42
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1.一種太陽能電池片的減反射膜，其特征在于，所述減反射膜的成分主要為SiNx:H，減反射膜中距離減反射膜所依附的硅片表面為T處的SiNx:H中的X滿足如下關(guān)系：

X＝a-1.589×10^-2T+3.728×10^-4T²-4.072×10^-6T³+1.535×10^-8T⁴；

其中，a為減反射膜與硅片接觸的底面中的氮硅比，1.00≤a≤2.0。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片的減反射膜，其特征在于，1.20≤a≤1.60。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片的減反射膜，其特征在于，所述減反射膜的厚度為50～100nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片的減反射膜，其特征在于，所述減反射膜的折射率從底面到頂面呈連續(xù)變化，所述底面的折射率為2.10～3.00；所述頂面的折射率為1.90～2.06。

5.一種太陽能電池片的減反射膜的制備方法，其特征在于，包括以SiH₄和NH₃為反應(yīng)源，在原料硅片表面沉積SiNx:H減反射膜；

所述SiH₄和NH₃的流量比R呈遞減趨勢，沉積的減反射膜距離硅片表面為T處的R滿足如下關(guān)系：

R＝β-5.0×10^-2T+1.08×10^-3T²-9.25×10^-6T³+2.6×10^-8T⁴，

其中，β為起始SiH₄和NH₃的流量比，1.0≤β≤1.5；

制得太陽能電池片的減反射膜，減反射膜中距離減反射膜所依附的硅片表面為T處的SiNx:H中的X滿足如下關(guān)系：

X＝a-1.589×10^-2T+3.728×10^-4T²-4.072×10^-6T³+1.535×10^-8T⁴，

其中，a為減反射膜與硅片接觸的底面中的氮硅比，1.00≤a≤2.0。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池片的減反射膜的制備方法，其特征在于，所述減反射膜的制備包括將原料硅片于流量比呈遞減趨勢的SiH₄和NH₃的氣氛下移動，所述原料硅片移動的速率為130-190cm/min。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池片的減反射膜的制備方法，其特征在于，所述SiH₄和NH₃的總流量為1000～7000sccm。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池片的減反射膜的制備方法，其特征在于，所述沉積的方法包括等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池片的減反射膜的制備方法，其特征在于，所述沉積的溫度為350℃～450℃。