[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010218344.1
• 申請日: 2006-10-27
• 公開（公告）號: CN101882657A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 成泰連
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導體器件，包括：

厚膜層；

形成于所述厚膜層上的第一外延層，其中，所述第一外延層的頂表面進行了表面處理；以及

形成于所述第一外延層上并且具有包括用于電子和光電器件的基于氮化物的半導體的多層的第二外延層，

其中，按照包括至少一種表示為In_xAl_yGa_zN(x、y、z為整數)或Si_xC_yN_z(x、y、z為整數)的化合物的單層或多層的形式制備所述第一和第二外延層中的每者。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述厚膜層包括從下述集合中選出的至少一種化合物、合金或固溶體：Si、Ge、SiGe、GaAs、GaN、AlN、AlGaN、InGaN、BN、BP、BAs、BSb、AlP、AlAs、Alsb、GaSb、InP、InAs、InSb、GaP、InP、InAs、InSb、In₂S₃、PbS、CdTe、CdSe、Cd_1xZn_xTe、In₂Se₃、CuInSe₂、Hg_1-xCd_xTe、Cu₂S、ZnSe、ZnTe、ZnO、W、Mo、Ni、Nb、Ta、Pt、Cu、Al、Ag、Au、ZrB₂、WB、MoB、MoC、WC、ZrC、Pd、Ru、Rh、Ir、Cr、Ti、Co、V、Re、Fe、Mn、RuO、IrO₂、BeO、MgO、SiO₂、SiN、TiN、ZrN、HfN、VN、NbN、TaN、MoN、ReN、CuI、金剛石、DLC(類金剛石碳)、SiC、WC、TiW、TiC、CuW和SiCN，其中，所述厚膜層包括制備為單層或多層的單晶層、多晶層或者非晶層。