[發明專利]高頻晶體管的制造方法無效
| 申請號： | 201010217830.1 | 申請日： | 2010-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN102315121A | 公開（公告）日： | 2012-01-11 |
| 發明（設計）人： | 葉丹陽 | 申請（專利權）人： | 上海鐳芯微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 胡美強 |
| 地址： | 200000 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高頻 晶體管 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種高頻晶體管的制造方法，是通過以下步驟實現的：
步驟1、在淀積多晶硅之前，先進行一次砷注入，形成超淺結發射區；
步驟2、在已形成的發射區基礎上，淀積多晶硅，進行第二次砷注入，形成多晶擴展發射區。
2.根據權利要求1所述的高頻晶體管的制造方法，其中在步驟1中：砷注入能量為60-100keV，形成小于600A的超淺結發射區；步驟2中：淀積多晶硅厚度在1000-2000A之間，砷注入能量為100-120keV。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
