[發明專利]半導體器件精細圖案的制作方法有效
| 申請號： | 201010217807.2 | 申請日： | 2010-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN102299057A | 公開（公告）日： | 2011-12-28 |
| 發明（設計）人： | 洪中山 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;H01L21/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 精細 圖案 制作方法 | ||
1.一種半導體器件精細圖案的制作方法，所述精細圖案為相間排列的間隔和線，該方法包括：
在半導體襯底上依次沉積刻蝕目標層、多/非晶硅層和氮化硅層；所述多/非晶硅層的含義為多晶硅層或者非晶硅層；
在氮化硅層的表面涂布光阻膠層，并曝光顯影圖案化所述光阻膠層，定義精細圖案的間隔；
以圖案化的光阻膠層為掩膜，刻蝕所述氮化硅層形成圖案化的氮化硅層；
去除光阻膠層后，以圖案化的氮化硅層為掩膜，對多/非晶硅層進行氧化形成具有第一預定寬度和第一預定深度的氧化硅層；
以所述圖案化的氮化硅層為掩膜，各向異性刻蝕具有第一預定深度的氧化硅層至顯露出多/非晶硅層；
去除所述圖案化的氮化硅層后，顯露出位于所述圖案化的氮化硅層下的氧化硅層和未被氧化的多/非晶硅層，各向異性刻蝕多/非晶硅層至顯露出刻蝕目標層；所述各向異性刻蝕多/非晶硅層的寬度為精細圖案的間隔；
以顯露出的氧化硅層為掩膜對刻蝕目標層進行刻蝕，形成精細圖案；所述顯露出的氧化硅層的寬度為精細圖案的線；其中線和間隔相間排列，2倍的線寬加上間隔等于所述第一預定寬度。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除光阻膠層后，以圖案化的氮化硅層為掩膜，對多/非晶硅層進行氧化形成具有第一預定寬度和第一預定深度的氧化硅層之前，該方法進一步包括：以圖案化的氮化硅層為掩膜，刻蝕多/非晶硅層至第二預定深度和第二預定寬度的步驟；
所述第一預定寬度大于第二預定寬度，第一預定深度大于第二預定深度。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蝕多/非晶硅層為各向同性刻蝕或者各向異性刻蝕；
所述各向同性刻蝕多/非晶硅層的氣體包括四氟化碳CF4、六氟化硫SF6或三氟化氮NF3中的一種，或者幾種的任意組合；
所述各向異性刻蝕多/非晶硅層的氣體包括CF4、溴化氫HBr或氯氣Cl2中的一種，或者幾種的任意組合。
4.如權利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述氧化為熱氧化或者等離子輔助氧化的方法。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述各向異性刻蝕多/非晶硅層至顯露出刻蝕目標層的刻蝕氣體包括溴化氫HBr或氯氣Cl2中的一種，或者兩種的組合，該刻蝕氣體對多/非晶硅層進行刻蝕的同時，不會刻蝕氧化硅層。
6.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在沉積多/非晶硅層和氮化硅層之間，該方法進一步包括對多/非晶硅層進行氨氣退火的步驟。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司，未經中芯國際集成電路制造(上海)有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010217807.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：制作半導體組件的方法
- 下一篇：花籃式氣浮硅片自動分離機構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
