[發明專利]一種具有抗干擾保護功能的電平轉移電路

有效

• 申請號: 201010217629.3
• 申請日: 2010-06-29
• 公開（公告）號: CN101888237A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 姚海霆
• 申請（專利權）人: 日銀IMP微電子有限公司
• 主分類號: H03K19/017
• 分類號: H03K19/017
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

技術領域

本發明涉及一種電平轉移技術，尤其是涉及一種具有抗干擾保護功能的電平轉移電路。

背景技術

在許多集成電路中，為滿足集成電路中不同半導體器件的耐壓要求，需要將較低的電平信號轉換成較高的電平信號，或者將較高的電平信號轉換成較低的電平信號，電平轉移(Level?shift)技術即用于實現這種功能。

傳統的電平轉移電路通常是直接將輸入信號轉換成一個與輸入信號相位一致的輸出信號。如果是集成電路需要的輸入信號送入到電平轉移電路的輸入端時，集成電路保持正常工作狀態。但是，如果在電平轉移電路的輸入端產生一個干擾信號，則電平轉移電路的輸出端輸出的輸出信號則帶有不確定性，可能輸出一個高電平，也可能輸出一個低電平。這種傳統的電平轉移電路輸出信號的不確定性有可能會對集成電路中的半導體器件造成不可恢復的損壞，典型的例子如用電平轉移電路驅動半橋驅動電路，如果電平轉移電路的輸出端輸出的輸出信號用來驅動高壓側的N型MOSFEF管，那么當低壓側的N型MOSFET管導通的同時，在電平轉移電路的輸入端會產生一個干擾信號，該干擾信號觸發電平轉移電路工作，則電平轉移電路可能輸出一個高電平讓高壓側的N型MOSFET管導通，這時就會出現高壓側的N型MOSFET管和低壓側的N型MOSFET管同時導通的情況，高壓側的N型MOSFET管和低壓側的N型MOSFET管就會同時被損壞。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種具有較強的抗干擾保護功能的電平轉移電路，該電平轉移電路能夠在出現干擾信號時，保持輸出端輸出固定電平以關閉驅動的后續電路工作進行保護。

本發明解決上述技術問題所采用的技術方案為：一種具有抗干擾保護功能的電平轉移電路，包括脈沖產生電路、第一MOS管、第二MOS管、上拉電阻、第一比較器、第二比較器、邏輯電路和RS觸發器，所述的脈沖產生電路的輸入端接入輸入信號，所述的脈沖產生電路的第一輸出端輸出在輸入信號的上升沿時產生的脈沖信號，所述的脈沖產生電路的第二輸出端輸出在輸入信號的下降沿時產生的脈沖信號，所述的脈沖產生電路的第一輸出端與所述的第一MOS管的柵極相連接，所述的脈沖產生電路的第二輸出端與所述的第二MOS管的柵極相連接，所述的第一MOS管的源極和襯底及所述的第二MOS管的源極和襯底均接地，所述的第一MOS管的漏極和所述的第二MOS管的漏極相連接，其公共連接端分別與所述的上拉電阻的第一端、所述的第一比較器的第一輸入端和所述的第二比較器的第一輸入端相連接，所述的上拉電阻的第二端接高壓電源，所述的第一比較器的第二輸入端接入第一基準電壓，所述的第二比較器的第二輸入端接入第二基準電壓，所述的第一基準電壓小于所述的第二基準電壓，所述的第一MOS管導通時所述的第一MOS管的漏極與所述的第二MOS管的漏極的公共連接端處的電壓大于所述的第一基準電壓且小于所述的第二基準電壓，所述的第二MOS管導通時所述的第一MOS管的漏極與所述的第二MOS管的漏極的公共連接端處的電壓小于所述的第一基準電壓，所述的邏輯電路具有第一輸入端、第二輸入端、第一輸出端及第二輸出端，所述的邏輯電路的第一輸入端與所述的第一比較器的輸出端相連接，所述的邏輯電路的第二輸入端與所述的第二比較器的輸出端相連接，所述的第一MOS管的漏極與所述的第二MOS管的漏極的公共連接端處的電壓大于所述的第一基準電壓且小于所述的第二基準電壓時，所述的第二比較器的輸出信號發生翻轉，所述的邏輯電路的第二輸出端與所述的RS觸發器的置位輸入端相連接，所述的邏輯電路的第二輸出端輸出的信號作為所述的RS觸發器的置位信號輸入到所述的RS觸發器的置位輸入端，所述的RS觸發器的輸出端輸出高電平，所述的第一MOS管的漏極與所述的第二MOS管的漏極的公共連接端處的電壓小于所述的第一基準電壓時，所述的第二比較器的輸出信號和所述的第一比較器的輸出信號先后發生翻轉，所述的邏輯電路屏蔽所述的第二比較器的輸出信號，所述的邏輯電路的第一輸出端與所述的RS觸發器的復位輸入端相連接，所述的邏輯電路的第一輸出端輸出的信號作為所述的RS觸發器的復位信號輸入到所述的RS觸發器的復位輸入端，所述的RS觸發器的輸出端輸出低電平。

所述的第一MOS管和所述的第二MOS管均為N溝道MOS管，所述的第一MOS管的寬長比與所述的第二MOS管的寬長比不相等。

所述的第一MOS管和所述的第二MOS管均為N溝道MOSFET管，所述的第一MOS管的寬長比與所述的第二MOS管的寬長比不相等。

所述的輸入信號為方波信號。