[發明專利]一種控制三極管正向放大系數的電路

有效

• 申請號: 201010217626.X
• 申請日: 2010-06-29
• 公開（公告）號: CN101895258A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 滕謀艷
• 申請（專利權）人: 日銀IMP微電子有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 程曉明

1.一種控制三極管正向放大系數的電路，其特征在于包括初級線圈、三極管、主功率開關管、用于比例所述的主功率開關管的電流且類型與所述的主功率開關管相同的第一MOS管、第二MOS管、運算放大器、電流感應電阻及用于鏡像所述的第一MOS管的電流的電流鏡，所述的初級線圈的第一端接入輸入電壓，所述的初級線圈的第二端與所述的三極管的集電極相連接，所述的三極管的發射極分別與所述的運算放大器的第一輸入端和所述的主功率開關管的漏極相連接，所述的主功率開關管的柵極和所述的第一MOS管的柵極均接入驅動信號，所述的主功率開關管的襯底和源極及所述的第一MOS管的襯底和源極均通過所述的電流感應電阻接地，所述的第一MOS管的漏極分別與所述的運算放大器的第二輸入端及所述的第二MOS管的襯底和源極相連接，所述的第二MOS管的柵極與所述的運算放大器的輸出端相連接，所述的第二MOS管的漏極與所述的電流鏡相連接，所述的電流鏡的輸入端接入偏置電壓，所述的電流鏡的輸出端與所述的三極管的基極相連接。

2.根據權利要求1所述的一種控制三極管正向放大系數的電路，其特征在于所述的三極管為NPN型三極管，所述的主功率開關管為N溝道MOS管，所述的第一MOS管為N溝道MOS管或N溝道MOSFET管，所述的第二MOS管為N溝道MOS管。

3.根據權利要求1或2所述的一種控制三極管正向放大系數的電路，其特征在于所述的運算放大器和所述的第二MOS管構成一個電壓跟隨器。

4.根據權利要求3所述的一種控制三極管正向放大系數的電路，其特征在于所述的電流鏡主要由第一P溝道MOS管、第二P溝道MOS管、第三P溝道MOS管和第四P溝道MOS管組成，所述的第一P溝道MOS管的襯底和漏極均與所述的第二MOS管的漏極相連接，所述的第一P溝道MOS管的柵極與所述的第二P溝道MOS管的柵極均接入偏置電壓，所述的第一P溝道MOS管的源極分別與所述的第三P溝道MOS管的襯底和漏極相連接，所述的第三P溝道MOS管的漏極分別與所述的第三P溝道MOS管的柵極和所述的第四P溝道MOS管的柵極相連接，所述的第三P溝道MOS管的源極和所述的第四P溝道MOS管的源極均接入工作電壓，所述的第四P溝道MOS管的襯底和漏極均與所述的第二P溝道MOS管的源極相連接，所述的第二P溝道MOS管的襯底和漏極均與所述的三極管的基極相連接。