[發(fā)明專利]一種信號發(fā)生器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010217566.1 | 申請日: | 2010-07-02 |
| 公開(公告)號: | CN101882922A | 公開(公告)日: | 2010-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃沫;王冬春 | 申請(專利權(quán))人: | 廣州市廣晟微電子有限公司 |
| 主分類號: | H03K3/02 | 分類號: | H03K3/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 510630 廣東省廣州市天*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 信號發(fā)生器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及移動通信技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種信號發(fā)生器。
背景技術(shù)
近年來,移動通訊技術(shù)發(fā)展迅猛,3G、WLAN等通訊技術(shù)的涌現(xiàn)對高速、低成本等高性能通訊電路的需求逐步提高。高集成度的收發(fā)機為調(diào)制器和解調(diào)器提供精確正交I/Q(in-phase/quadrature-phase)兩路信號,在移動通訊技術(shù)中廣泛應(yīng)用,并由于其低成本的優(yōu)勢成為收發(fā)機的發(fā)展趨勢,其中,實現(xiàn)產(chǎn)生所述I/Q兩路信號的分頻器技術(shù)以其功耗低,I/Q匹配精度較高的優(yōu)點受到人們的青睞。
現(xiàn)有技術(shù)中的分頻器應(yīng)用較為廣泛的是高速動態(tài)CMOS分頻器,如圖1所示,所述高速動態(tài)CMOS分頻器包括:第一反相器101,第二反相器102和第三反相器103,所述第一反相器101和第二反相器102分別由差分時鐘信號CLK和CLKb控制實現(xiàn)動態(tài)鎖存,第三反相器103實現(xiàn)負反饋要求的180°的反相功能。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn):雖然現(xiàn)有技術(shù)中的所述高速動態(tài)CMOS分頻器工作效率高、功耗低,但在輸出產(chǎn)生正交差分信號時,精確度不高,故需要能夠產(chǎn)生精確分頻的正交差分信號的發(fā)生器來滿足上述需求。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種信號發(fā)生器,以實現(xiàn)精確地產(chǎn)生正交差分信號的目的。
一種信號發(fā)生器,包括:第一分頻器、第二分頻器、結(jié)構(gòu)相同的第一反相反饋電路和第二反相反饋電路,其中:
所述第一分頻器與所述第二分頻器結(jié)構(gòu)相同,均包含輸出端和中間節(jié)點端;
所述第一反相反饋電路耦合于所述第一分頻器的輸出端與所述第二分頻器的輸出端之間;
所述第二反相反饋電路耦合于所述第一分頻器的中間節(jié)點端和所述第二分頻器的中間節(jié)點端之間。
本信號發(fā)生器的所述兩個分頻器分別具有輸出端與中間節(jié)點端,鑒于所述中間節(jié)點端相對于所述輸出端具有90°的相移,從而產(chǎn)生了正交的信號;所述第一反相反饋電路耦合于所述第一分頻器的輸出端與第二分頻器的輸出端之間產(chǎn)生了一路差分信號,而所述第二反相反饋電路耦合于所述第一分頻器的中間節(jié)點端和所述第二分頻器的中間節(jié)點端之間又產(chǎn)生了一路差分信號,且由于所述第一分頻器與所述第二分頻器在結(jié)構(gòu)上相同,并結(jié)合結(jié)構(gòu)相同、具有反相及反饋功能的第一反相反饋電路和第二反相反饋電路,所述信號發(fā)生器結(jié)構(gòu)上高度對稱,并設(shè)有反饋電路,從而在所述信號發(fā)生器的輸出端產(chǎn)生了0°、90°、180°和270°的精確正交差分信號,克服了現(xiàn)有技術(shù)的分頻器不能產(chǎn)生精確的正交差分信號的缺點。
優(yōu)選地,所述第一反相反饋電路具體為:結(jié)構(gòu)相同并交叉耦合的第一反相器和第二反相器,
所述第二反相反饋電路具體為:結(jié)構(gòu)相同并交叉耦合的第三反相器與第四反相器。
所述第一反相反饋電路和所述第二反相反饋電路用最少的器件實現(xiàn)了反相的功能,能夠恒定保持所述反饋電路兩端的信號具有180°的相移,并減少了所述信號發(fā)生器的所述輸出端和所述中間節(jié)點端的寄生電容,提高了所述信號發(fā)生器產(chǎn)生信號的質(zhì)量(功耗和噪聲性能)和速率。
優(yōu)選地,所述第一反相器、所述第二反相器、所述第三反相器與所述第四反相器均為NMOS反相器。
所述NMOS反相器作為優(yōu)選,在本發(fā)明中使用,但并不限于本反相器,PMOS也是能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明技術(shù)效果的電路結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地,所述第一分頻器與所述第二分配器為結(jié)構(gòu)相同的分頻器,均包括一對交叉耦合的鎖存器。
優(yōu)選地,所述鎖存器具體為邊沿觸發(fā)器。
優(yōu)選地,所述邊沿觸發(fā)器具體為D觸發(fā)器。
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