[發(fā)明專利]磷化鎵鋁應(yīng)力補(bǔ)償?shù)纳榛熈孔狱c(diǎn)太陽電池制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010217374.0
• 申請(qǐng)日: 2010-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN101908581A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王科范;楊曉光;楊濤;王占國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種磷化鎵鋁應(yīng)力補(bǔ)償?shù)纳榛熈孔狱c(diǎn)太陽電池制作方法，包括如下步驟：

步驟1：選擇一n+型GaAs單晶片作為襯底；

步驟2：在襯底上依次生長(zhǎng)n型GaAs層和本征GaAs緩沖層；

步驟3：在本征GaAs緩沖層上生長(zhǎng)多個(gè)周期的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，作為電池的i吸收層；

步驟4：在多個(gè)周期的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)上依次生長(zhǎng)p型GaAs層、p+型GaAs層、Al_0.4Ga_0.6As層和ZnS/MgF₂層；

步驟5：在ZnS/MgF₂層上生長(zhǎng)并制作上金屬電極；

步驟6：在襯底10的下表面制作下金屬電極；

步驟7：對(duì)電池組件進(jìn)行封裝，完成太陽電池的制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化鎵鋁應(yīng)力補(bǔ)償?shù)纳榛熈孔狱c(diǎn)太陽電池制作方法，其中多個(gè)周期的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的每一周期包括：

一InAs量子點(diǎn)層，在InAs量子點(diǎn)層上依次生長(zhǎng)第一GaAs間隔層、Ga_xAl_1-xP應(yīng)力補(bǔ)償層和第二GaAs間隔層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化鎵鋁應(yīng)力補(bǔ)償?shù)纳榛熈孔狱c(diǎn)太陽電池制作方法，其中多個(gè)周期的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的周期數(shù)小于150。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化鎵鋁應(yīng)力補(bǔ)償?shù)纳榛熈孔狱c(diǎn)太陽電池制作方法，其中所述的多個(gè)周期的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的InAs量子點(diǎn)層的沉積厚度介于1.5到3個(gè)原子單層，生長(zhǎng)溫度介于430℃和530℃之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化鎵鋁應(yīng)力補(bǔ)償?shù)纳榛熈孔狱c(diǎn)太陽電池制作方法，其中所述的多個(gè)周期的量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的Ga_xAl_1-xP應(yīng)力補(bǔ)償層的厚度介于1到5個(gè)原子單層，生長(zhǎng)溫度介于500℃到800℃之間；Ga_xAl_1-xP應(yīng)力補(bǔ)償層與上下兩層InAs量子點(diǎn)層的距離大于5nm，Ga_xAl_1-xP應(yīng)力補(bǔ)償層中的x取值范圍0＜x＜1。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化鎵鋁應(yīng)力補(bǔ)償?shù)纳榛熈孔狱c(diǎn)太陽電池制作方法，其中第一GaAs間隔層和第二GaAs間隔層的生長(zhǎng)溫度高于InAs量子點(diǎn)層的生長(zhǎng)溫度，但小于630℃，第一GaAs間隔層和第二GaAs間隔層的厚度小于30nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磷化鎵鋁應(yīng)力補(bǔ)償?shù)纳榛熈孔狱c(diǎn)太陽電池制作方法，其中步驟2-步驟6是采用分子束外延法或金屬有機(jī)化學(xué)沉積法。