[發明專利]利用加熱對磁阻結構提供勢壘的方法和系統有效
| 申請號: | 201010216900.1 | 申請日: | 2010-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN101937685A | 公開(公告)日: | 2011-01-05 |
| 發明(設計)人: | C·帕克;Q·倫;M·帕卡拉 | 申請(專利權)人: | 西部數據(弗里蒙特)公司 |
| 主分類號: | G11B5/39 | 分類號: | G11B5/39 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 加熱 磁阻 結構 提供 方法 系統 | ||
1.一種提供磁記錄換能器的方法,包含:
提供磁性元件的被釘扎層;
為所述磁性元件提供隧道勢壘層的一部分;
在提供所述隧道勢壘層的所述部分后,以高于室溫的溫度退火所述磁記錄換能器;
提供所述隧道勢壘層的剩余部分,所述剩余部分在退火所述磁記錄換能器后提供;以及
為所述磁阻元件提供自由層。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述溫度不高于四百攝氏度。
3.根據權利要求2所述的方法,其中所述溫度不高于二百攝氏度。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述溫度至少為一百攝氏度。
5.根據權利要求1所述的方法,進一步包含:
在退火磁換能器前且在形成無磁分隔層的部分后,將所述磁換能器轉移至高真空退火裝置。
6.根據權利要求5所述的方法,其中在避免將所述磁換能器暴露于周圍環境的同時,執行轉移所述磁換能器的步驟。
7.根據權利要求5所述的方法,其中所述高真空不高于9×10-8托。
8.根據權利要求5所述的方法,其中所述高真空不高于5×10-8托。
9.根據權利要求5所述的方法,其中所述高真空不高于2×10-8托。
10.根據權利要求5所述的方法,其中所述高真空不高于8×10-9托。
11.根據權利要求1所述的方法,其中所述被釘扎層是合成的反鐵磁體SAF,所述反鐵磁體包括具有第一磁化的第一鐵磁層、具有第二磁化的第二鐵磁層以及在所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層之間的無磁性層。
12.根據權利要求1所述的方法,其中所述隧道勢壘層具有總厚度,并且所述隧道勢壘層的所述部分的厚度不低于所述總厚度的百分之二十。
13.根據權利要求1所述的方法,其中所述隧道勢壘層具有總厚度,并且所述隧道勢壘層的所述部分的厚度不低于所述總厚度的百分之四十。
14.根據權利要求1所述的方法,其中所述隧道勢壘層具有總厚度,并且所述隧道勢壘層的所述部分的厚度不低于所述總厚度的百分之八十。
15.一種提供具有氣墊面ABS的磁記錄換能器的方法,包含:
提供磁性元件的被釘扎層;
提供所述磁性元件的隧道勢壘層的一部分,所述隧道勢壘層在完成后具有總厚度,所述隧道勢壘層的所述部分的厚度至少為總厚度的百分之二十,并低于所述總厚度的百分之百;
將磁記錄換能器轉移至高真空退火裝置;
在提供所述隧道勢壘層的所述部分后,以至少一百攝氏度且不高于二百攝氏度的溫度在所述高真空退火裝置中退火所述磁記錄換能器,所述高真空退火裝置在退火期間具有不高于5×10-8托的壓力;
在退火所述磁記錄換能器后提供所述隧道勢壘層的剩余部分;以及
提供所述磁阻元件的自由層。
16.一種提供具有氣墊面ABS的磁記錄換能器的方法,包含:
提供磁性元件的被釘扎層;
在退火磁換能器前,將所述磁換能器轉移至高真空退火裝置;
在所述高真空退火裝置中,以高于室溫的溫度退火所述磁記錄換能器;
提供所述磁性元件的隧道勢壘層;以及
提供所述磁阻元件的自由層。
17.根據權利要求16所述的方法,其中所述溫度不高于四百攝氏度。
18.根據權利要求17所述的方法,其中所述溫度不高于二百攝氏度。
19.根據權利要求16所述的方法,其中所述溫度至少為一百攝氏度。
20.根據權利要求16所述的方法,其中所述高真空不高于9×10-8托。
21.根據權利要求20所述的方法,其中所述高真空不高于5×10-8托。
22.根據權利要求16所述的方法,其中所述高真空不高于2×10-8托。
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