[發明專利]掩模版和掩模版制作方法

有效

• 申請號: 201010216555.1
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN102314074A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 江傳亮;楊志勇
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F1/44
• 分類號: G03F1/44;G03F1/38;G03F7/20
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種掩模版，適于焦面曝光矩陣曝光測試，包括：

基底；

位于所述基底一側的具有不同厚度的多個掩模部件，所述掩模部件表面具有掩模標記，所述掩模標記設置于所述掩模部件在曝光過程中光線出射一側的表面；

覆蓋于所述基底的具有多種透光率的濾光膜。

2.如權利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述濾光膜與所述掩模部件分別位于所述基底的兩側，其中，所述濾光膜設置于所述基底在曝光過程中光線入射一側的表面，所述掩模部件設置于所述基底在曝光過程中光線出射一側的表面。

3.如權利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述濾光膜與所述掩模部件依次位于所述基底的同側，其中，所述濾光膜設置于所述基底在曝光過程中光線出射一側的表面，所述掩模部件設置于所述濾光膜光線出射一側的表面。

4.如權利要求1至3之一所述的掩模版，其特征在于，所述具有不同厚度的多個掩模部件沿第一軸分布，所述具有多種透光率的濾光膜沿與所述第一軸垂直的第二軸分布。

5.如權利要求2或3所述的掩模版，其特征在于，任一個掩模部件對應于多種透光率。

6.如權利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述濾光膜的透光率根據曝光劑量決定。

7.如權利要求6所述的掩模版，其特征在于，對應于每一個掩模部件的濾光膜中，透光率呈梯度分布。

8.如權利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述掩模部件的厚度根據所述曝光過程中的物距決定。

9.如權利要求8所述的掩模版，其特征在于，多個所述掩模部件之間的厚度依次呈梯度分布。

10.如權利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述掩模部件為條形掩模。

11.如權利要求5所述的掩模版，其特征在于，所述掩模標記為包括至少兩個不同線寬的的子標記。

12.如權利要求11所述的掩模版，其特征在于，所述子標記的線條均勻分布。

13.一種掩模版制作方法，適于制作用于焦面曝光矩陣曝光測試的掩模版，所述掩模版制作方法包括：

準備基底；

形成與所述基底連接且具有不同厚度的多個掩模部件，所述掩模部件位于曝光過程中基底出射光線一側的表面；

在所述掩模部件與所述基底不相連接的表面形成掩模標記；

形成覆蓋所述基底的具有多種透光率的濾光膜，所述濾光膜位于曝光過程中基底入射光線一側的表面。

14.如權利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述具有不同厚度的多個掩模部件沿第一軸分布，所述具有多種透光率的濾光膜沿與所述第一軸垂直的第二軸分布。

15.如權利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述掩模部件之間的厚度依次呈梯度分布。

16.如權利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述掩模部件為條形掩模。

17.如權利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述形成掩模標記包括：在所述掩模部件曝光過程中出射光線一側的表面進行刻蝕，形成掩模標記。

18.如權利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述掩模標記為包括至少兩個以上不同線寬的子標記。

19.如權利要求18所述的掩模版制作方法，其特征在于，所述子標記的線條均勻分布。

20.如權利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，形成所述濾光膜包括：對應于每個掩模部件的濾光膜包含多種透光率。

21.如權利要求13所述的掩模版制作方法，其特征在于，對應于每個掩模部件的濾光膜中，透光率呈梯度分布。

22.一種掩模版制作方法，適于制作用于焦面曝光矩陣曝光測試的掩模版，包括：

準備基底；

形成覆蓋所述基底的具有多種透光率的濾光膜，所述濾光膜位于曝光過程中基底出射光線一側的表面；

形成與所述濾光膜連接且具有不同厚度的多個掩模部件，所述掩模部件位于曝光過程中所述濾光膜出射光線一側的表面；

在所述掩模部件與所述濾光膜不相連接的表面形成掩模標記。