[發明專利]半導體存儲裝置的位線預充電電壓發生電路

有效

• 申請號: 201010216194.0
• 申請日: 2010-07-02
• 公開（公告）號: CN102122526A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 金鍾奐
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;黃啟行

本申請要求2010年1月8日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請10-2010-0001773的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本發明的各個實施例總的來說涉及半導體集成電路，具體地說涉及半導體存儲裝置的位線預充電電壓發生電路。

背景技術

半導體存儲裝置可以將存儲在存儲單元中的數據傳送到位線，通過位線讀出放大器將傳送到位線的數據放大，將放大的數據順序地傳送到子輸入/輸出線和局部輸入/輸出線，并將數據輸出到半導體存儲裝置的外部。

圖1是說明現有的半導體存儲裝置的的方框圖。現有的半導體可以包括第一開關單元10、第一預充電單元20、第二開關單元30和第二預充電單元40。

第一開關單元10可以包括第一晶體管N1和第二晶體管N2。第一開關單元10響應于列選擇信號Yi，將位線BL和BLb連接到子輸入/輸出線SIO和SIOb。

第一預充電單元20可以包括第三至第五晶體管N3至N5。當位線均衡信號BLEQ降低到低電平時，第一預充電單元20可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb預充電到位線預充電電壓VBLP的電平。

第二開關單元30可以包括第六和第七晶體管N6和N7。當位線均衡信號BLEQ升高到高電平時，第二開關單元30可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb連接到局部輸入/輸出線LIO和LIOb。

第二預充電單元40可以包括第八至第十晶體管P1至P3。第二預充電單元40可以將局部輸入/輸出線LIO和LIOb預充電至核心電壓Vcore的電平。位線預充電電壓VBLP的電平可以是核心電壓Vcore的電平的一半。

圖1所示的半導體存儲裝置可以通過反復的刷新操作，來將位線預充電電壓VBLP升高。預充電操作可以跟在每一次刷新操作之后。因此，預充電操可以與刷新操作一起反復進行。

如圖1所示，第二預充電單元40可以將局部輸入/輸出線LIO和LIOb預充電至核心電壓Vcore的電平，第一預充電單元20可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb預充電到位線預充電電壓VBLP的電平。而當不執行預充電操作時，第二開關單元30可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb分別連接到局部輸入/輸入線LIO和LIOb。即，當位線均衡信號BLEQ升高到高電平時，第二開關單元30可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb分別連接到局部輸入/輸出線LIO和LIOb。當位線均衡信號BLEQ降低到低電平時，第一預充電單元20可以將子輸入/輸出線SIO和SIOb預充電。

隨著刷新操作的反復進行，會使預充電至核心電壓Vcore的電平的局部輸入/輸出線LIO和LIOb與預充電至位線預充電電壓VBLP的電平的子輸入/輸出線SIO和SIOb之間的連接次數增加。因此，預充電了的子輸入/輸出線SIO和SIOb的電壓電平可以變得高于位線預充電電壓VBLP的電平，這會使位線預充電電壓VBLP的電平升高。具體地，當子輸入/輸出線SIO和SIOb被預充電時，半導體存儲裝置可以將位線預充電電壓VBLP供給子輸入/輸出線SIO和SIOb。然而，反復的刷新操作會使子輸入/輸出線SIO和SIOb的電壓電平升高，并且子輸入/輸出線SIO和SIOb的電壓會流到施加有位線預充電電壓VBLP的節點。因此，會使位線預充電電壓VBLP的電平升高。

當位線預充電電壓VBLP升高時，也會使位線BL和BLb的預充電電壓電平升高。因此，當存儲單元的數據傳送到位線BL和BLb時，位線BL與BLb之間的電壓差小于預設定的電壓差。因此，被配置為讀出并放大位線BL和BLb的電壓電平的位線讀出放大器可能會發生異常操作。

發明內容

因此，需要可以克服上述的一個或多個問題的改進的位線讀出放大器。因此，本發明的各個方面可以提供半導體存儲裝置的位線預充電電壓發生電路，即使在反復的刷新操作期間，也可以防止位線預充電電壓升高。

為了獲得所述優點并且根據如在此具體實施和寬泛地描述的本發明的目的，本發明的一個示例性方面提供一種半導體存儲裝置的位線預充電電壓發生電路，包括：分壓塊，被配置為對內部電壓進行分壓以產生第一分壓和第二分壓，其中，第二分壓的電平高于第一分壓的電平；上拉放大塊，被配置為將第一分壓的電平與位線預充電電壓線上的位線預充電電壓的電平進行比較，并使位線預充電電壓的電平升高；和下拉放大塊，被配置為將第二分壓的電平與位線預充電電壓的電平進行比較，并使位線預充電電壓的電平降低。在此，與在非刷新操作期間相比，在刷新操作期間，下拉放大塊可以使位線預充電電壓的電平更快地降低到目標電平。