[發明專利]用于制備光電子器件的薄膜、其制備方法和光電子器件

無效

• 申請號: 201010216101.4
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN102311615A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 曹雷;陳國鋒
• 申請（專利權）人: 西門子公司
• 主分類號: C08L65/00
• 分類號: C08L65/00;C08L79/02;C08L79/04;C08K7/00;C08K3/04;H01L51/00;C08G61/12;C08G61/02;C08G73/02;C08G73/06;C08J5/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李慧

1.一種用于制備光電子器件的薄膜，其中包括碳納米管和導電聚合物。

2.如權利要求1所述的薄膜，其中所述導電聚合物包括選自下列通式(1)-(4)的至少一種聚合物：

通式(1)

通式(2)

通式(3)

通式(4)

其中，R和R’各自獨立，分別為C1-C18的烷基或C1-C18的烷氧基；n為10-10⁵范圍內的整數。

3.如權利要求1所述的薄膜，其中所述碳納米管的含量為0.01-20wt％。

4.如權利要求3所述的薄膜，其中所述碳納米管的含量為0.1-10wt％。

5.如權利要求1所述的薄膜，其中所述碳納米管為單壁、雙壁或多壁碳納米管。

6.如權利要求1所述的薄膜，其中所述薄膜的厚度為0.01-10微米。

7.如權利要求6所述的薄膜，其中所述薄膜的厚度為0.01-1微米。

8.由如權利要求1～7中任一項所述的薄膜制備的光電子器件。

9.如權利要求8所述的光電子器件，所述光電子器件為柔性透明電極、顯示屏、場效應管或電子印刷電路。

10.制備如權利要求1-7中任一項所述的用于制備光電子器件的薄膜的方法，包括如下步驟：

(1)將碳納米管均勻分散于導電聚合物的單體中；

(2)將得到的混合物分散液涂覆到基板上；

(3)室溫或加熱使所述單體聚合，成膜。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述導電聚合物包括選自下列通式(1)-(4)的至少一種聚合物：

通式(1)

通式(2)

通式(3)

通式(4)

其中，R和R’各自獨立，分別為C1-C18的烷基或C1-C18的烷氧基；n為10-10⁵范圍內的整數。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述碳納米管的含量為0.01-20wt％。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述碳納米管的含量為0.1-10wt％。

14.如權利要求10所述的方法，其中所述碳納米管為單壁、雙壁或多壁碳納米管。

15.如權利要求10所述的方法，其中用超聲法將所述碳納米管均勻分散于導電聚合物單體中。

16.如權利要求10所述的方法，其中，所述單體聚合的步驟使用的氧化劑為甲苯磺酸鐵，同時使用咪唑作為弱化甲苯磺酸鐵氧化電勢的堿。

17.如權利要求10所述的方法，其中調整所述涂覆步驟使得最后得到的薄膜厚度為0.01-10微米。

18.制備如權利要求1-7中任一項所述的用于制備光電子器件的薄膜的方法，包括如下步驟：

(1)將碳納米管均勻分散于導電聚合物溶液中；

(2)將得到的混合物分散液涂覆到基板上；

(3)室溫或加熱固化成膜。

19.如權利要求18所述的方法，其中用超聲法將所述碳納米管均勻分散于導電聚合物的溶液中。

20.如權利要求18所述的方法，其中，將所述碳納米管均勻分散于導電聚合物溶液中，并將得到的混合物涂覆到基板上之后，進一步包括摻雜步驟。

21.如權利要求18所述的方法，其中所述摻雜步驟用多元醇作為摻雜劑來進行。