[發(fā)明專利]介孔ZnO組裝半導體量子點/非晶硅多帶隙疊層太陽能電池

無效

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• 申請日: 2010-06-29
• 公開（公告）號: CN101872794A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發(fā)明（設計）人: 沈悅;吳貴芝;顧峰;李琳瑜;劉秀勇
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/0392;H01L31/0224
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 顧勇華

1.一種介孔ZnO組裝半導體量子點/非晶硅多帶隙疊層太陽能電池，其特征在于，包括：一位于頂部吸收偏向短波的高能太陽光的非晶硅多帶隙太陽能電池；一位于底部吸收偏向長波的低能太陽光的組裝半導體量子點的介孔ZnO太陽能電池；

所述的非晶硅多帶隙太陽能電池由最外層的透明襯底(101)，次外層的透明導電氧化物層(102)，以及里層的非晶硅半導體層(103)-(105)組成；

所述的組裝半導體量子點的介孔ZnO太陽能電池依次包括緩沖層(200)，組裝半導體量子點的介孔ZnO層(201)，電解質(zhì)(202)以及催化劑層(203)和最外層的透明襯底(204)。

2.根據(jù)權利要求1所述的介孔ZnO組裝半導體量子點/非晶硅多帶隙疊層太陽能電池，其特征在于，所述的透明襯底(101)、(204)為導電玻璃基板，所述的透明導電氧化物層(102)為摻氟氧化錫，所述的非晶硅半導體層(103)-(105)分別為P型、I型、N型非晶硅薄膜；所述的緩沖層(200)為透明導電薄膜，選自氧化鋅摻鋁，或薄膜金，所述的組裝半導體量子點的介孔ZnO層(201)為組裝了CdSe或CdTe量子點的ZnO層，所述的電解質(zhì)(202)為I^-/I₃^-電解質(zhì)，所述的催化劑層(203)為鉑金催化劑，該催化劑真空磁控濺射于導電玻璃基板(204)上。

3.一種介孔ZnO組裝半導體量子點/非晶硅多帶隙疊層太陽能電池，其特征在于，包括：一位于頂部吸收偏向短波的高能太陽光的非晶硅多帶隙太陽能電池；一位于底部吸收偏向長波的低能太陽光的組裝半導體量子點的介孔ZnO太陽能電池；

所述的非晶硅多帶隙太陽能電池由最外層的透明襯底(101)，次外層的透明導電氧化物層(102)，以及里層的非晶硅半導體層(103)-(105)組成；

所述的組裝半導體量子點的介孔ZnO太陽能電池依次包括緩沖層(200)，組裝半導體量子點的介孔ZnO層(201)，以及催化劑層(203)。

4.根據(jù)權利要求3所述的介孔ZnO組裝半導體量子點/非晶硅多帶隙疊層太陽能電池，其特征在于，所述的透明襯底(101)為導電玻璃基板，所述的透明導電氧化物層(102)為摻氟氧化錫，所述的非晶硅半導體層(103)-(105)分別為P型、I型、N型非晶硅薄膜；所述的緩沖層(200)為透明導電薄膜，選自氧化鋅摻鋁；所述的組裝半導體量子點的介孔ZnO層(201)為組裝了CdSe或CdTe量子點的ZnO層；所述的催化劑層(203)為通過真空磁控濺射的鉑金催化劑，作為背反電極。