[發(fā)明專利]并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010215148.9
• 申請(qǐng)日: 2010-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101872001A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛蓉;朱華彬;李艷霞;馬昊立;左真濤;卓彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院生物物理研究所
• 主分類號(hào): G01R33/36
• 分類號(hào): G01R33/36
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 徐寧;關(guān)暢

1.一種并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：所述相控陣發(fā)射接收頭線圈包括兩端通透的一內(nèi)殼和一外殼，所述內(nèi)殼和外殼對(duì)應(yīng)測(cè)試者眼部的位置均開(kāi)設(shè)有一全開(kāi)的視窗，所述內(nèi)殼的外表面上設(shè)置有上、下兩圈共八個(gè)相控陣表面回路，其中一個(gè)所述相控陣表面回路圍繞所述視窗設(shè)置；

所述并行發(fā)射接收射頻接口電路包括一功分器，將輸入的單通道射頻信號(hào)分成八路射頻信號(hào)；所述功分器連接八個(gè)移相器，每一所述移相器將輸入的每一路射頻信號(hào)進(jìn)行線性相移，經(jīng)相移后的每一路射頻信號(hào)通過(guò)一發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的輸入/輸出端發(fā)射至所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上的八個(gè)相控陣表面回路，使每圈中相鄰所述兩相控陣表面回路之間的相移差為定值，上、下兩圈對(duì)應(yīng)的所述兩相控陣表面回路之間射頻信號(hào)的相位差為定值；所述八個(gè)相控陣表面回路發(fā)射射頻信號(hào)并接受人體氫原子產(chǎn)生八路磁共振信號(hào)，所述八路磁共振信號(hào)分別通過(guò)每一所述發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的輸入/輸出端輸入一前置放大器；每一所述發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的控制端均連接掃描儀的控制系統(tǒng)，以接收所述控制系統(tǒng)輸出的發(fā)射或接收的切換控制指令。

2.如權(quán)利要求1所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：所述移相器為同軸電纜，所述同軸電纜的長(zhǎng)度決定所述移相器的相移量。

3.如權(quán)利要求2所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：每圈中相鄰所述兩相控陣表面回路之間的相移差為90°，上、下兩圈對(duì)應(yīng)的所述兩相控陣表面回路之間射頻信號(hào)的相位差為180°。

4.如權(quán)利要求1所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：所述內(nèi)殼的外表面上的其中三對(duì)所述上、下相控陣表面回路為對(duì)稱設(shè)置。

5.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：所述并行發(fā)射接收射頻接口電路還包括連接在每一所述移相器與發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)之間的、調(diào)節(jié)各路射頻信號(hào)幅值用的八個(gè)衰減器。

6.如權(quán)利要求1或2或3或4所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上每一所述相控陣表面回路包括三固定電容、三可調(diào)電容和電感，其中的三固定電容、二可調(diào)電容和電感串聯(lián)成一諧振回路。

7.如權(quán)利要求5所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：所述相控陣發(fā)射接收頭線圈上每一所述相控陣表面回路包括三固定電容、三可調(diào)電容和電感，其中的三固定電容、二可調(diào)電容和電感串聯(lián)成一諧振回路。

8.如權(quán)利要求6所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：所述諧振回路中的一可調(diào)電容的兩端通過(guò)另一所述可調(diào)電容連接所述射頻接口電路中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)；所述固定電容為無(wú)磁耐高壓固定電容，所述可調(diào)電容為無(wú)磁耐高壓可調(diào)電容；所述相控陣表面回路中電感由四段銅皮構(gòu)成。

9.如權(quán)利要求7所述的并行發(fā)射接收射頻接口電路和相控陣發(fā)射接收頭線圈，其特征在于：所述諧振回路中的一可調(diào)電容的兩端通過(guò)另一所述可調(diào)電容連接所述射頻接口電路中的發(fā)射接收轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)；所述固定電容為無(wú)磁耐高壓固定電容，所述可調(diào)電容為無(wú)磁耐高壓可調(diào)電容；所述相控陣表面回路中電感由四段銅皮構(gòu)成。