[發明專利]蠶絲溶液、使用其制備的有機薄膜晶體管及電容及其制法

無效

• 申請號: 201010214705.5
• 申請日: 2010-06-24
• 公開（公告）號: CN102208533A
• 公開（公告）日: 2011-10-05
• 發明（設計）人: 黃振昌;王中樺;謝兆瑩
• 申請（專利權）人: 國立清華大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種有機薄膜晶體管裝置，包括：

一基板；

一柵極，配置于該基板上；

一柵極介電層，配置于該基板上且覆蓋該柵極，其中該柵極介電層的材料包含一蠶絲蛋白；

一有機半導體層；以及

一源極、以及一漏極，

其中，該有機半導體層、該源極、以及該漏極配置于該柵極介電層上方。

2.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管裝置，其中該蠶絲蛋白為一天然蠶絲蛋白。

3.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管裝置，其中該蠶絲蛋白為一絲心蛋白(fibroin)。

4.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管裝置，其中該柵極介電層具有一單層結構或一多層結構。

5.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管裝置，其中該有機半導體層的材料包含一五環素(pentacene)。

6.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管裝置，其中該基板為一塑料基板、一玻璃基板、一石英基板、或一硅基板。

7.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管裝置，其中當該有機薄膜晶體管裝置為一上接觸式有機薄膜晶體管時，該有機半導體層完全覆蓋該柵極介電層，而該源極與該漏極配置于該有機半導體層上。

8.根據權利要求1所述的有機薄膜晶體管裝置，其中當該有機薄膜晶體管裝置為一下接觸式有機薄膜晶體管時，該源極與該漏極配置于該柵極介電層上，而該有機半導體層覆蓋該柵極介電層、該源極、以及該漏極。

9.一種有機薄膜晶體管裝置的制作方法，包括下列步驟：

提供一基板；

形成一柵極于該基板上；

涂布一蠶絲溶液于該形成有柵極的基板上，以于該基板及該柵極上形成一柵極介電層；以及

形成一有機半導體層、一源極、以及一漏極于該柵極介電層上方。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其中步驟(C)包括下列步驟：

(C1)提供一蠶絲溶液；

(C2)將該形成有柵極的基板浸泡于該蠶絲溶液中，以涂布該蠶絲溶液于該形成有柵極的基板上；以及

(C3)干燥該涂布于基板的蠶絲溶液，以于該基板及該柵極上形成一柵極介電層。

11.根據權利要求9所述的制作方法，其中該蠶絲溶液為一含天然蠶絲蛋白的水溶液。

12.根據權利要求9所述的制作方法，其中該蠶絲溶液為一含絲心蛋白的水溶液。

13.根據權利要求9所述的制作方法，其中該有機半導體層的材料包含一五環素。

14.根據權利要求9所述的制作方法，其中該基板為一塑料基板、一玻璃基板、一石英基板、或一硅基板。

15.根據權利要求9所述的制作方法，于步驟(D)中，該有機半導體層完全覆蓋該柵極介電層，而該源極與該漏極配置于該有機半導體層上，以形成一上接觸式有機薄膜晶體管。

16.根據權利要求9所述的制作方法，于步驟(D)中，該源極與該漏極配置于該柵極介電層上，而該有機半導體層覆蓋該柵極介電層、該源極、以及該漏極，以形成一下接觸式有機薄膜晶體管。

17.一種金屬-絕緣層-金屬電容結構，包括：

一基板；

一第一電極，配置于該基板上；

一絕緣層，配置于該基板上且覆蓋該第一電極，其中該絕緣層的材料包含一蠶絲蛋白；以及

一第二電極，配置于該絕緣層上。

18.根據權利要求17所述的金屬-絕緣層-金屬電容結構，其中該蠶絲蛋白為一天然蠶絲蛋白。

19.根據權利要求17所述的金屬-絕緣層-金屬電容結構，其中該蠶絲蛋白為一絲心蛋白。

20.根據權利要求17所述的金屬-絕緣層-金屬電容結構，其中該絕緣層具有一單層結構或一多層結構。

21.根據權利要求17所述的金屬-絕緣層-金屬電容結構，其中該基板為一塑料基板、一玻璃基板、一石英基板、或一硅基板。