[發明專利]基于GaAs HBT器件的模擬反射型I-Q矢量調制電路

有效

• 申請號: 201010214611.8
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN101888218A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 呂紅亮;侯學智;張玉明;張義門;石彥強
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H03H7/48
• 分類號: H03H7/48
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種基于GaAs?HBT器件的模擬反射型I-Q矢量調制電路，其特征在于包括：一個3-dB?lange耦合器(1)，兩個模擬反射型衰減器(6，7)，和1個3-dB?wilkinson功率合成器(10)，該3-dB?lange耦合器的直通端口輸出直接通過第一衰減器(6)移相后輸出到功率合成器(7)的一個輸入端；該3-dB?lange耦合器的耦合端口輸出直接通過第二衰減器(6)移相后輸出到功率合成器(10)的另一個輸入端，功率合成器(10)對該兩個輸入信號合成后輸出。

2.根據權利要求1所述的的模擬反射型I-Q矢量調制電路，其特征在于模擬反射型衰減器，包括一個3-dB?lange耦合器，兩個砷化鎵異質結雙極晶體管Q1和Q2，四個電阻R1，R2，R3和R4，以及兩個電感L1和L2，該3-dB?lange耦合器的輸入端口作為衰減器的輸入端口，隔離端口作為衰減器的輸出端口；該3-dB?lange耦合器的直通端口和耦合端口分別與Q1和Q2的集電極相連；Q1和Q2的集電極分別與電阻R3和R4并聯連接，用以減小Vb＝0時的反射系數|Γ|；Q1和Q2的基極分別與R1、R2相連，電阻R1和R2的另一端連接在一起作為衰減器的控制端口Vb；Q1和Q2的發射極分別與電感L1和L2串聯連接，用以抵消由于HBT器件的基極、集電極以及發射極彼此之間的寄生電容所造成的寄生效應。

3.根據權利要求2所述的基于GaAs?HBT器件的模擬反射型衰減器，其特征在于電阻R3和R4的阻值相等，且為140±1Ω。

4.根據權利要求2所述的基于GaAs?HBT器件的模擬反射型衰減器，其特征在于電感L1和L2的電感值相等，且為43±1pH。