[發明專利]液晶顯示器用的薄膜晶體管陣列板

有效

• 申請號: 201010214587.8
• 申請日: 2010-07-01
• 公開（公告）號: CN102314031A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 王柏欽;鄭庭軒;張月泙
• 申請（專利權）人: 群康科技（深圳）有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02
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技術領域

本發明是有關于一種薄膜晶體管陣列板，特別是指一種液晶顯示器用的薄膜晶體管陣列板。

背景技術

參圖1、2A及2B，一種現有技術的液晶顯示器用的薄膜晶體管陣列板1，是適用于八區域型(domain)液晶顯示器，其包含：一基板11、多個相互平行的掃描線(scan?line)12、多個與這些掃描線12相隔、相交叉且與這些掃描線12共同將該基板11界定出多個像素區111的數據線(data?line)13、多個分別形成在這些像素區111的第一薄膜晶體管14及第二薄膜晶體管15、多個分別形成在這些像素區111并分別具有相間隔設置的一第一區161與一第二區162的像素電極16、多個分別位于這些像素區111并平行于這些掃描線12且界于兩相鄰的掃描線12之間的共用(common)電極17、一上介電層181、一下介電層182，及一具有相間隔設置的一第一段191與一第二段192的儲存電容(storage?capacitor)電極19。

每一第一薄膜晶體管14包括一與其相對應的掃描線12電連接的柵極141、一與其相對應的數據線13電連接的源極142，及一漏極143。每一第二薄膜晶體管15包括一與其對應的第一薄膜晶體管14的柵極141連接的柵極151、一與其對應的第一薄膜晶體管14的漏極143電連接的源極152，及一漏極153。

每一像素電極16的第一區161與第二區162是分別與其對應的第一薄膜晶體管14的漏極143與第二薄膜晶體管15的漏極153電連接。

這些共用電極17是形成在這些像素電極16的下方，且于其平行方向上與其兩相鄰的像素區111的共用電極17相連接。

每一儲存電容電極19是位于其對應的像素電極16下方并位于其對應的共用電極17上方，且每一儲存電容電極19的第一段191與第二段192是分別與其對應的像素電極16的第一區161及第二區192電連接。

在該現有技術的液晶顯示器用的薄膜晶體管陣列板1中，這些掃描線12、柵極141、151及共用電極17是分別形成在該基板11上并由一第一圖案化(patterned)金屬層(M₁)所界定而成；該下介電層182是形成在該第一圖案化金屬層(M₁)上；這些數據線13、源極141、151、漏極143、153與這些儲存電容電極19是分別形成在該下介電層182上，并由一第二圖案化金屬層(M₂)所界定而成；該上介電層181是形成在該第二圖案化金屬層(M₂)上；這些像素電極16是分別形成在該上介電層181上并由一圖案化透明導電層(transparentconductive?layer，簡稱TCL)所界定而成。因此，每一像素區111內的共用電極17、下介電層182與儲存電容電極19的第一段191共同界定出一第一儲存電容(如圖2A所示，Cs₁)；每一像素區111內的共用電極17、下介電層182與儲存電容電極19的第二段192共同界定出一第二儲存電容(如圖2B所示，Cs₂)；且每一像素區111內的儲存電容電極19的第一段191、上介電層181與像素電極16的第二區162共同界定出一用以控制液晶分子的傾角的補償電容(如圖2B所示，Ccp₀)。

液晶本身由于無法自行發光，其顯示器的顯示機制則必須依賴背光(back?light)模塊的光源。因此，被應用于液晶顯示器中的薄膜晶體管陣列板的開口率(aperture?ratio)則構成了影響液晶顯示器的顯示亮度的主要因素。然而，該現有技術的液晶顯示器用的薄膜晶體管陣列板1為了降低這些共用電極17與儲存電容電極19的阻值而使用該第一、二圖案化金屬層(M₁、M₂)來定義出這些共用電極17與儲存電容電極19。因此，也犧牲掉該現有技術的液晶顯示器用的薄膜晶體管陣列板1的整體開口率。

經前述說明可知，提升液晶顯示器用的薄膜晶體管陣列板的開口率高并降低其電路的阻值，是此技術領域者所待克服的難題。

發明內容

為解決現有技術液晶顯示器用的薄膜晶體管陣列板的開口率低并且其電路阻值高的問題，有必要提供一種薄膜晶體管陣列板的開口率高并降低其電路的阻值的液晶顯示器。