[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010214329.X
• 申請(qǐng)日: 2010-06-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101937872A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本和人;兩澤克彥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L21/268;H01L27/02;G09G3/32
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 許玉順;胡建新

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在除了形成有布線的第一區(qū)域以外的、形成有半導(dǎo)體層的第二區(qū)域上，形成光熱變換層；

對(duì)上述第一區(qū)域及上述第二區(qū)域照射光，利用上述光熱變換層對(duì)上述半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

通過(guò)照射上述光而加熱，將上述半導(dǎo)體層的非晶質(zhì)部進(jìn)行結(jié)晶化。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在對(duì)上述第一區(qū)域及上述第二區(qū)域照射光之后，除去上述光熱變換層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在除去上述光熱變換層之后，在上述被加熱的半導(dǎo)體層上，形成寬度比上述光熱變換層寬的溝道保護(hù)層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

通過(guò)照射上述光而加熱，形成第1晶體管，該第1晶體管將結(jié)晶化的上述半導(dǎo)體層作為溝道層。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

通過(guò)對(duì)含有導(dǎo)電材料的薄膜進(jìn)行圖案化，由此與上述第1晶體管的電極一起形成上述第1區(qū)域的布線。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在形成上述光熱變換層之前，在上述第二區(qū)域的上述半導(dǎo)體層上形成緩沖層。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

在形成上述緩沖層之后形成上述光熱變換層；

對(duì)上述第一區(qū)域及上述第二區(qū)域照射光，通過(guò)上述光熱變換層對(duì)上述半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱；

除去上述光熱變換層；

通過(guò)圖案化形成包括上述緩沖層的溝道保護(hù)層。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，

上述半導(dǎo)體層還形成在第三區(qū)域中；

在照射上述光的工序，將上述光還照射在上述第三區(qū)域中；

形成第2晶體管，該第2晶體管將上述第三區(qū)域的未結(jié)晶化的上述半導(dǎo)體層作為溝道層。

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，通過(guò)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法制造。

11.一種顯示裝置的制造方法，該顯示裝置具備多個(gè)顯示像素，該顯示像素具有顯示元件和用來(lái)驅(qū)動(dòng)上述顯示元件的像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，

在除了形成有布線的第一區(qū)域以外的、形成有半導(dǎo)體層的第二區(qū)域上，形成光熱變換層；

對(duì)上述第一區(qū)域及上述第二區(qū)域照射光，利用上述光熱變換層對(duì)上述半導(dǎo)體層進(jìn)行加熱；

通過(guò)照射上述光而加熱，形成上述像素驅(qū)動(dòng)電路的第1晶體管，該第1晶體管將結(jié)晶化的上述半導(dǎo)體層作為溝道層。

12.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述第1晶體管是對(duì)上述顯示元件供給發(fā)光驅(qū)動(dòng)電流的晶體管。

13.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述半導(dǎo)體層也形成在第三區(qū)域中；

在照射上述光的工序，將上述光也照射在上述第三區(qū)域中；

形成上述像素驅(qū)動(dòng)電路的第2晶體管，該第2晶體管將上述第三區(qū)域的未結(jié)晶化的上述半導(dǎo)體層作為溝道層。

14.如權(quán)利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述第1晶體管是對(duì)上述顯示元件供給發(fā)光驅(qū)動(dòng)電流的晶體管；

上述第2晶體管是用于選擇上述第1晶體管的晶體管。

15.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述像素驅(qū)動(dòng)電路連接在選擇線及數(shù)據(jù)線上；

上述布線作為上述選擇線及上述數(shù)據(jù)線中的至少任一個(gè)發(fā)揮功能。

16.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

上述半導(dǎo)體層具有結(jié)晶化的半導(dǎo)體區(qū)域和未結(jié)晶化的半導(dǎo)體區(qū)域，該未結(jié)晶化的半導(dǎo)體區(qū)域分別位于上述結(jié)晶化的半導(dǎo)體區(qū)域的兩端。

17.如權(quán)利要求11所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，

在上述半導(dǎo)體層上形成寬度比上述光電變換層寬的溝道保護(hù)層。