[發明專利]一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法

無效

• 申請號: 201010213904.4
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN101837289A
• 公開（公告）日: 2010-09-22
• 發明（設計）人: 姜兆華;姚忠平;賈方舟;李春香
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: B01J23/22
• 分類號: B01J23/22;B01J21/06;B01J37/08;B01J37/34;C01B3/04
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法是通過以下步驟實現的：一、在TC4鈦基體上制備納米二氧化鈦薄膜：將TC4鈦基體進行預處理去除表面氧化膜，然后將預處理后的TC4鈦基體作為工作電極置于電解液中，銅片作為對電極，控制反應電壓為10~30V，進行恒壓陽極氧化20~120min，即在TC4鈦基體上得到納米二氧化鈦薄膜，其中電解液組成為：5~6g/L的NH₄F和體積濃度為2%~5%的H₃PO₄溶液，溶劑為水；二、將經步驟一處理后的TC4鈦基體放入管式爐內，然后將管式爐加熱至300~600℃，保溫1~3h，再隨爐冷卻即在TC4鈦基體上得到改性后的二氧化鈦薄膜光催化劑，即完成TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法。

2.根據權利要求1所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟一中將TC4鈦基體進行預處理去除表面氧化膜的具體操作為：將氫氟酸和濃硝酸按照體積比為1：1的比例混合得混合酸溶液，然后將鈦基體浸入混合酸溶液中，在混合酸溶液中停置1~2s，然后取出，用去離子水沖洗干凈，然后再將鈦基體浸入混合酸溶液中，停置1~2s，然后取出，重復上述操作1~4次。

3.根據權利要求1或2所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟一中控制反應電壓為15~25V。

4.根據權利要求1或2所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟一中控制反應電壓為20V。

5.根據權利要求3所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟一中進行恒壓陽極氧化30~90min。

6.根據權利要求3所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟一中進行恒壓陽極氧化60min。

7.根據權利要求1、2、5或6所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟一中電解液組成為：5g/L的NH₄F和體積濃度為3%的H₃PO₄溶液。

8.根據權利要求7所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟二中然后將管式爐加熱至400~500℃。

9.根據權利要求1、2、5、6或8所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟二中保溫1.5~2.5h。

10.根據權利要求1、2、5、6或8所述的一種TC4基體納米二氧化鈦薄膜光催化劑熱處理表面改性方法，其特征在于步驟二中保溫2h。