[發明專利]半導體組件、半導體元件及其制法

有效

• 申請號: 201010213358.4
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN102148211A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 賴怡仁;韓至剛;詹前彬;簡智源;楊懷德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種半導體元件，包括：

一半導體基材；

一焊盤區域，位于該半導體基材上；以及

一凸塊結構，位于該焊盤區域之上且電性連接該焊盤區域，其中該凸塊結構包括一銅層與位于該銅層之上的一錫銀合金層，且該錫銀合金層中的銀含量小于1.6重量百分比。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該錫銀合金層中的銀含量大于1.2重量百分比。

3.如權利要求1所述的半導體元件，其中該錫銀合金層中的銀含量大于1.5重量百分比。

4.如權利要求1所述的半導體元件，其中該銅層為厚度大于40微米的一銅柱。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其中該銅層的厚度小于10微米。

6.如權利要求1所述的半導體元件，還包括：

一鎳層介于該銅層與該錫銀合金層之間。

7.如權利要求1所述的半導體元件，還包括：

一導通孔穿過該半導體基材且電性連接該焊盤區域，其中該導通孔包括銅。

8.一種半導體組件，包括：

一第一基材；

一第二基材；以及

一接合結構，設置于該第一基材與該第二基材之間；

其中該接合結構包括介于該第一基材與該第二基材之間的一凸塊結構，與介于該凸塊結構與該第二基材之間的一焊料層；以及

其中該焊料層包括銀，且該焊料層中的銀含量小于3.0重量百分比。

9.如權利要求8所述的半導體組件，其中該凸塊結構包括厚度大于40微米的一銅柱。

10.如權利要求8所述的半導體組件，其中該凸塊結構包括一銅層以及一含鎳層位于該銅層之上。

11.如權利要求8所述的半導體組件，其中該凸塊結構包括厚度小于10微米的一銅層。

12.如權利要求8所述的半導體組件，其中該第一基材與該第二基材至少之一為一半導體基材，且該半導體基材包括一導通孔穿過該半導體基材且電性連接該凸塊結構。

13.一種半導體元件的制法，包括以下步驟：

提供一半導體基材；

形成一焊盤區域位于該半導體基材之上；

形成一銅柱位于該焊盤區域之上；

形成一無鉛焊料層位于該銅柱之上，其中該無鉛焊料層包括銀，且銀含量小于1.6重量百分比；以及

于溫度240℃-280℃之間回焊該無鉛焊料層。

14.如權利要求13所述的半導體元件的制法，其中該無鉛焊料層的銀含量大于1.2重量百分比。