[發明專利]等離子體處理裝置、薄膜制造方法和薄膜晶體管制造方法

有效

• 申請號: 201010213335.3
• 申請日: 2010-06-17
• 公開（公告）號: CN101928935A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 山崎舜平;井上卓之;菊地彫;井上博登
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/50;H01L21/336
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種等離子體處理裝置，其中在反應室內產生輝光放電等離子體并在該反應室內的襯底上沉積生成物，該等離子體處理裝置包括：

在所述反應室內，

其上裝載有所述襯底的第一電極；

與所述第一電極相對的第二電極，該第二電極包括與所述第一電極相對的所述第二電極的表面上的多個突出部分；以及

電連接于所述第二電極的高頻電源，

其中，所述第二電極具有設置在所述多個突出部分的頂面的第一氣體引入口、設置在所述多個突出部分之間的第二氣體引入口，

并且，在將高頻電力供給給所述第二電極時，在所述多個突出部分上產生的所述輝光放電等離子體的電子密度高于在所述多個突出部分之間產生的所述輝光放電等離子體的電子密度。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中供給頻率為13.56MHz以下的所述高頻電力的所述高頻電源電連接到所述第二電極。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述第二電極的多個突出部分的每一個的截面積越接近每個所述第一氣體引入口越一味地縮小。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中所述第二電極的多個突出部分的每一個的邊緣部或頂部具有圓度。

5.根據權利要求1所述的等離子體處理裝置，其中將反應性氣體通過所述第一氣體引入口引入到所述反應室，并且將沉積性氣體通過所述第二氣體引入口引入到所述反應室。

6.根據權利要求5所述的等離子體處理裝置，其中所述反應性氣體為氮化性氣體、氧化性氣體或氫氣體，并且，所述沉積性氣體包含硅或鍺。

7.一種等離子體處理裝置，其中在反應室內產生輝光放電等離子體并在該反應室內的襯底上沉積生成物，該等離子體處理裝置包括：

在所述反應室內，

其上裝載有所述襯底的第一電極；

與所述第一電極相對的第二電極，該第二電極包括與所述第一電極相對的所述第二電極的表面上的多個突出部分；以及

電連接于所述第二電極的高頻電源，

其中，所述第二電極具有設置在所述多個突出部分的頂面的第一氣體引入口、設置在所述多個突出部分之間的第二氣體引入口，

并且，在將高頻電力供給給所述第二電極時，相鄰的所述第二電極的多個突出部分之間的距離小于因所述輝光放電等離子體而產生在所述第二電極的多個突出部分之間的鞘層的厚度的2倍。

8.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中引入到所述第一氣體引入口的氣體與引入到所述第二氣體引入口的氣體不同。

9.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中供給頻率為13.56MHz以下的所述高頻電力的所述高頻電源電連接到所述第二電極。

10.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中所述第二電極的多個突出部分的每一個的截面積越接近每個所述第一氣體引入口越一味地縮小。

11.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中所述第二電極的多個突出部分的每一個的邊緣部或頂部具有圓度。

12.根據權利要求7所述的等離子體處理裝置，其中將反應性氣體通過所述第一氣體引入口引入到所述反應室，并且將沉積性氣體通過所述第二氣體引入口引入到所述反應室。

13.根據權利要求12所述的等離子體處理裝置，其中所述反應性氣體為氮化性氣體、氧化性氣體或氫氣體，并且，所述沉積性氣體包含硅或鍺。

14.一種等離子體處理裝置，其中在反應室內產生輝光放電等離子體并在該反應室內的襯底上沉積生成物，包括：

在所述反應室內，

其上裝載有所述襯底的第一電極；

與所述第一電極相對的第二電極，該第二電極包括與所述第一電極相對的所述第二電極的表面上的多個突出部分；以及

電連接于所述第二電極的高頻電源，

其中，所述第二電極具有設置在所述多個突出部分的頂面的第一氣體引入口、設置在所述多個突出部分之間的第二氣體引入口，

并且，在將高頻電力供給給所述第二電極時，所述第二電極的多個突出部分的高度小于因所述輝光放電等離子體而產生在所述第二電極的多個突出部分之間的鞘層的厚度。