[發(fā)明專利]蒸鍍機

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010213000.1
• 申請日: 2010-06-30
• 公開（公告）號: CN102312200A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖名揚;吳佳穎
• 申請（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種蒸鍍機。

背景技術(shù)

目前使用的蒸鍍機主要是透過電子束將膜料蒸發(fā)，使材料沉積于被鍍物上。而鍍膜過程中會有以下的情形發(fā)生：(1)當(dāng)電子束持續(xù)對膜料進行蒸鍍，坩鍋在蒸鍍腔內(nèi)的位置固定不變，坩鍋內(nèi)的膜料相對鍍膜傘架的高度會越來越低，造成蒸鍍的時間越長電子束的能量需要越大，才能維持相同的鍍率，因此，需額外設(shè)置一電子束功率控制器對電子束發(fā)射電子的功率進行控制；(2)當(dāng)膜料在坩鍋內(nèi)的高度越來越低時，電子束可能沒有足夠的能量使所述膜料進行蒸發(fā)。也即，越下面的膜料越不易被蒸發(fā)到。當(dāng)換料時為維持膜料的潔凈度，通常會全部換新，對于膜料的消耗很大，增加鍍膜成本。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種可提高膜料利用率的蒸鍍機。

一種蒸鍍機，其包括一腔體、一膜料源、一蒸發(fā)源及一鍍膜傘架。所述腔體包括一頂板及一與頂板相對的底板。所述鍍膜傘架固設(shè)在所述腔體的頂板內(nèi)側(cè)。所述膜料源包括一坩堝座及一膜料。所述坩堝座開設(shè)有一收容所述膜料的收容槽。所述蒸鍍機進一步包括一升降驅(qū)動組件、及一控制裝置。所述升降驅(qū)動組件包括一固定板及一升降器。所述膜料源及所述蒸發(fā)源均固設(shè)在所述固定板上。所述固定板連接至所述升降器。所述升降器固定在所述腔體的底板上，并用于驅(qū)動所述固定板相對所述腔體的底板升降。所述控制裝置設(shè)置在所述腔體內(nèi)，與所述升降器電性連接，并用于控制所述升降器的升降量，以使所述收容槽內(nèi)的所述膜料離所述鍍膜傘架的高度始終保持不變。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，所述控制裝置用于控制所述升降器的升降量，以使所述收容槽內(nèi)的所述膜料離所述鍍膜傘架的高度始終保持不變，因此，所述蒸發(fā)源可以在恒定功率下，將膜料均勻蒸鍍，提高膜料的利用率。。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施方式提供的蒸鍍機的示意圖。

主要元件符號說明

蒸鍍機??????????100

腔體????????????10

升降驅(qū)動組件????20

膜料源??????????30

蒸發(fā)源??????????40

鍍膜傘架????????50

控制裝置????????60

頂板????????????11

底板????????????12

固定板??????????22

升降器??????????24

坩堝座??????????32

膜料????????????34

頂面????????????322

底面????????????324

收容槽??????????320

承載孔????????51

待鍍膜的基板??200

重力傳感器????61

計算單元??????62

升降器控制單元63

驅(qū)動部????????241

升降部????????242

具體實施方式

請參閱圖1，本發(fā)明提供的蒸鍍機100，其用于對待鍍膜基板200進行蒸鍍。所述蒸鍍機100包括一腔體10、一升降驅(qū)動組件20、一膜料源30、一蒸發(fā)源40、一鍍膜傘架50、及一控制裝置60。

所述腔體10為一中空箱體，其包括一頂板11、一與頂板11相對的底板12。

所述升降驅(qū)動組件20設(shè)置在所述腔體10的底板12上。該升降驅(qū)動組件20包括一固定板22及一升降器24。所述固定板22承載在所述升降器24上并可在所述升降器24的驅(qū)動下相對所述底板12升降。具體地，所述升降器24包括一驅(qū)動部241及一可相對驅(qū)動部241升降的升降部242。所述驅(qū)動部241固設(shè)在所述腔體10的底板12上。所述固定板22承載在所述升降部242上。所述升降器24可以為一汽缸或一升降馬達。該升降器24用于驅(qū)動所述固定板22相對所述腔體10的底板12升降。

所述膜料源30固定在所述固定板22上。該膜料源30包括一坩堝座32及一膜料34。所述坩堝座32包括一頂面322及一與所述頂面322相對的底面324。所述坩堝座32的頂面322開設(shè)有一由所述頂面322朝向所述底面324內(nèi)凹的收容槽320。所述膜料34收容在所述收容槽320內(nèi)。本實施方式中，所述膜料34選用SiO2。

所述蒸發(fā)源40固定在所述固定板22上，并與所述膜料源30相鄰設(shè)置，該蒸發(fā)源40用于使所述膜料源30發(fā)射的膜料加熱至蒸汽狀態(tài)。本實施方式中，所述蒸發(fā)源40為電子槍。