[發明專利]有機發光顯示裝置

無效

• 申請號: 201010210554.6
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN102005166A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 金光民;郭源奎
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00;G09G3/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;薛義丹

本申請要求于2009年9月2號在韓國知識產權局提交的第10-2009-0082448號韓國專利申請的優先權和權益，其全部內容通過引用包含于此。

技術領域

本發明的實施例涉及一種有機發光顯示裝置，更具體地講，涉及一種具有發光測試電路的有機發光顯示裝置。

背景技術

近來，已經開發了與陰極射線管相比重量更輕且體積更小的多種平板顯示器。平板顯示器可分類為液晶顯示(LCD)裝置、場發射顯示(FED)裝置、等離子體顯示面板(PDP)和有機發光顯示(OLED)裝置等。

有機發光顯示(OLED)裝置是利用通過電子和空穴的復合而發光的有機發光二極管來顯示圖像的平板顯示器，有機發光顯示裝置具有相對快的響應速度和低的功耗，因此，有機發光顯示裝置作為下一代顯示器已成為公眾注意的中心。

這種有機發光顯示裝置包括：像素單元，包括多個像素；掃描驅動電路，提供掃描信號給像素單元；數據驅動電路，提供數據信號給像素單元。

這里，可通過利用低溫多晶硅(LTPS)工藝在平板上將像素單元和掃描驅動電路一起形成。在LTPS等工藝完成之后，可以以驅動IC芯片的形式在面板上安裝數據驅動電路。

然而，在安裝具有內置數據驅動電路的驅動集成電路(IC)之前，應執行用于確認像素能否正常地(適當地)發光的發光測試。為執行這樣的發光測試，可在面板上形成獨立的發光測試電路。

發光測試電路包括多個開關器件，所述多個開關器件根據從外部提供的測試控制信號將發光測試信號提供給數據線。這里，開關器件可由在用于形成設置在像素電路和掃描驅動電路等中的晶體管的LTPS工藝過程中形成的晶體管構成。為提高制造效率，開關器件的晶體管具有與像素電路和掃描驅動電路等的晶體管的結構相同(或基本相同)的結構。

然而，設置在發光測試電路中的晶體管可能暴露于從外部流動的靜電(ESD)，從而設置在發光測試電路中的晶體管可能在LTPS工藝期間或者甚至在LTPS工藝完成之后的模塊狀態中由于靜電而損壞。

如果發光測試電路中的晶體管被靜電損壞，則會導致有機發光顯示裝置的驅動錯誤和/或不能有效地執行發光測試。

因此，在安裝驅動IC之前用發光測試電路執行發光測試的有機發光顯示裝置中，在LTPS工藝或者甚至在完成LTPS工藝之后的模塊狀態，應保護發光測試電路，防止其被靜電損壞。

為此，需要以能夠保護自身免于靜電的結構來設計發光測試電路的晶體管。

發明內容

本發明實施例的一方面提供一種具有發光測試電路的有機發光顯示裝置，所述發光測試電路以能夠保護自身免受靜電損壞的結構設計。

本發明的實施例提供一種有機發光顯示裝置。所述有機發光顯示裝置包括：像素單元，包括在掃描線和數據線的交叉區域的像素；掃描驅動電路，構造為將掃描信號提供給掃描線；發光測試電路，構造為將發光測試信號提供給數據線，發光測試電路包括多個晶體管，所述多個晶體管包括源極、漏極和柵極，源極公共結合到輸入線，發光測試信號輸入到輸入線，漏極結合到數據線，柵極公共結合到測試控制信號的輸入線，柵極和源極通過由半導體材料組成的電阻器結合。

電阻器可利用高阻值的多晶硅半導體實現。

電阻器可設計為具有大約100kΩ至大約1MΩ或100kΩ至1MΩ的阻值。

此外，電阻器與晶體管的溝道層可一體地設置。這里，電阻器可利用包括雜質的多晶硅半導體來實現，所述雜質不包括在晶體管的溝道層中，或者電阻器可利用包括雜質的多晶硅半導體來實現，所述雜質與包括在晶體管的溝道層中的雜質相同，但是電阻器中摻雜的雜質的濃度與摻雜在晶體管的溝道層中的雜質的濃度不同。

此外，所述有機發光顯示裝置還可包括：數據分布電路，結合在發光測試電路和要分布的數據線之間，并在發光測試時間段期間，將從發光測試電路提供的發光測試信號輸出至數據線。

此外，所述有機發光顯示裝置還包括：驅動集成電路(IC)，以芯片形式安裝并與發光測試電路疊置，驅動集成電路具有內置的數據驅動電路。

如上所述的實施例，設置在發光測試電路中的晶體管的柵極和源極通過電阻器連接，使得能夠保護這些組件不被靜電損壞。

附圖說明

附圖和說明書一起闡述了本發明的示例性實施例，并和說明書一起用于解釋本發明的原理。

圖1是根據本發明實施例的有機發光顯示裝置的透視平面圖；

圖2是示出圖1中的發光測試電路的構造的透視電路圖；

圖3是圖2中的區域A的布置的透視示意平面圖；

圖4是僅示出圖3中的半導體層的透視平面圖；