[發明專利]具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構有效
| 申請號： | 201010210537.2 | 申請日： | 2010-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN102299225A | 公開（公告）日： | 2011-12-28 |
| 發明（設計）人： | 顏良吉;李逸駿 | 申請（專利權）人： | 聯勝光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 余剛;吳孟秋 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 反射 缺陷 密度 發光二極管 結構 | ||
1.一種具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述發光二極管結構包括：
一藍寶石基板(10)；
一具有圖案花紋的介電層(20)，所述介電層(20)埋設于所述藍寶石基板(10)的表面，且所述介電層(20)為兩種不同折射率的材料交互疊置而成；
一發光層(30)，所述發光層(30)成長于所述藍寶石基板(10)與所述介電層(20)上。
2.根據權利要求1所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述發光層(30)包含一N型半導體層(31)、一活化層(32)與一P型半導體層(33)。
3.根據權利要求2所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述N型半導體層(31)與所述P型半導體層(33)上分別鍍有一N型電極(34)與一P型電極(35)。
4.根據權利要求2所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述N型半導體層(31)與所述P型半導體層(33)由氮化鎵、氮化銦鎵、氮化鋁銦鎵與氮化鋁中的任一種制成。
5.根據權利要求2所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述活化層(32)包含一氮化鋁銦鎵的周期結構形成的多層量子井。
6.根據權利要求1所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述介電層(20)中的折射率較高者選自五氧二鉭、二氧化鉿、二氧化鈦、五氧二鈮、二氧化鈰、三氧化鋰鈮、氧化鋅、氧化銦錫和二氧化鋯中的任一種，所述介電層(20)中的折射率較低者選自二氧化硅。
7.根據權利要求1所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述介電層(20)的圖案花紋為周期性圖案，且選自圓柱、多邊形柱和條狀中的任一種。
8.根據權利要求7所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述介電層(20)的圖案的表面積為0.2平方微米至100平方微米。
9.根據權利要求7所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述介電層(20)的圖案間距為0.5微米至10微米。
10.根據權利要求7所述的具有高反射與低缺陷密度的發光二極管結構，其特征在于，所述介電層(20)的高度為0.1微米至5微米。
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