[發明專利]一維納米材料植入金屬電極表面的方法

有效

• 申請號: 201010210005.9
• 申請日: 2010-06-26
• 公開（公告）號: CN101880025A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 丁桂甫;鄧敏;王艷;崔雪梅
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 上海交達專利事務所 31201
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步、對一維納米材料進行包含切短、純化、表面改性的預處理；

第二步、將預處理后的一維納米材料與聚合物介質混合后進行研磨；

第三步、將研磨后的混合體進行除氣處理；

第四步、將處理后的一維納米材料和聚合物介質的混合體流平在基片上；

第五步、烘膠固化復合薄膜，并經磨平拋光后使用刻蝕液對整平后的復合薄膜表層進行化學刻蝕；

第六步、在刻蝕過的復合薄膜上依次進行沉積處理和電鍍處理；

第七步、采用刻蝕劑釋放聚合物介質，獲得一維納米材料植入金屬電極表面。

2.根據權利要求1所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的預處理包括：

1.1)采用行星球磨機以轉速200-600rpm球磨時間2-10小時，將一維納米材料球磨至平均長度0.1-15μm；

1.2)用強酸或強堿對一維納米材料煮沸3-10小時后用去離子水洗滌至中性，然后用高速離心機分離；

1.3)對一維納米材料進行純化處理以去除一維納米材料制備過程中殘余的雜質，具體步驟為：用強酸或強堿對一維納米材料煮沸5-21小時后用去離子水洗滌至中性，然后用高速離心機分離；

1.4)將一維納米材料冷凍干燥備用。

3.根據權利要求1所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的研磨是指：把一維納米材料和聚合物介質混合物按1∶5-1∶20加入行星球磨機研缽中以轉速200-600rpm球磨時間2-10小時。

4.根據權利要求2所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的除氣處理包括：

3.1)將裝有混合體的研缽放入真空箱，進行真空抽氣30-60分鐘；

3.2)將研缽放入超聲箱進行超聲除氣15-30分鐘。

5.根據權利要求2所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的流平在基片是指：

4.1)將經過研磨除氣后的一維納米材料與聚合物介質混合體倒在基片中央，用甩膠機把基片上的混合體甩平，甩膠機轉速為400-500rpm，甩膠時間為3-5分鐘；

4.2)對甩膠后的基片進一步進行抽真空除氣處理，時間為30-60分鐘，除氣后用超聲機進行超聲，時間為20-60分鐘。

6.根據權利要求1或5所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的基片可以是硅片、玻璃或陶瓷，其粗糙度為0.001～50微米。

7.根據權利要求1所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的刻蝕液為pH值在8.5-13.5的NaOH或Na₃PO₄水溶液。

8.根據權利要求1所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的化學刻蝕是指：刻蝕5-300秒后用鹽酸中和，再用去離子水洗滌。

9.根據權利要求1所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的沉積處理是指：沉積30nmCr-50nmCu的金屬種子層。

10.根據權利要求9所述的一維納米材料植入金屬電極表面的方法，其特征是，所述的電鍍處理是指：在金屬種子層上電鍍一層10-50微米的基體金屬層，該基體金屬層具體為Ni、Cu、Zn、Al等易電鍍的金屬元素。