[發(fā)明專利]等離子體浸沒離子注入設(shè)備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010209824.1
• 申請日: 2010-06-25
• 公開（公告）號: CN102296276A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉杰;汪明剛;夏洋;李超波;羅威;羅小晨;李勇滔
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 王建國

1.一種等離子體浸沒離子注入設(shè)備，包括離子注入腔室、電源部分、注入電極部分和真空部分，其特征在于：

所述離子注入腔室內(nèi)四壁設(shè)有內(nèi)襯，所述內(nèi)襯由包含硅成分的整塊材料制成。

2.根據(jù)權(quán)利要求所述的等離子體浸沒離子注入設(shè)備，其特征在于：

所述整塊材料由單晶硅、多晶硅、非晶硅或二氧化硅制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求所述的等離子體浸沒離子注入設(shè)備，其特征在于：

所述整塊材料是在由石墨、不銹鋼或鋁材料制成的內(nèi)襯的內(nèi)壁噴涂單晶硅、多晶硅、非晶硅或二氧化硅而制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體浸沒離子注入設(shè)備，其特征在于：

所述單晶硅、多晶硅、非晶硅或二氧化硅材料厚度范為10μm到1000μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的等離子體浸沒離子注入設(shè)備，其特征在于：

所述離子注入腔室內(nèi)四壁內(nèi)襯厚度均為0.1mm到20mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的等離子體浸沒離子注入設(shè)備，其特征在于：

所述內(nèi)襯包括可拆卸的頂部內(nèi)襯、兩側(cè)壁內(nèi)襯和底部內(nèi)襯；所述底部內(nèi)襯設(shè)置在所述離子注入腔室底部，所述側(cè)壁內(nèi)襯設(shè)置在所述底部內(nèi)襯之上，所述頂部內(nèi)襯可設(shè)置在所述側(cè)壁內(nèi)襯之上。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體浸沒離子注入設(shè)備，其特征在于：

所述頂部內(nèi)襯和底部內(nèi)襯上均勻開設(shè)多個圓孔，所述圓孔直徑為0.5mm到5mm，圓孔面積占空比為5％到50％。