[發(fā)明專利]高頻片式電感用納米堇青石基陶瓷介質(zhì)材料的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010209515.4 | 申請日: | 2010-06-25 |
| 公開(公告)號: | CN101880154A | 公開(公告)日: | 2010-11-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王少洪;陸浩然;侯朝霞;胡小丹;牛廠磊;薛召露;王浩 | 申請(專利權(quán))人: | 沈陽大學(xué) |
| 主分類號: | C04B35/195 | 分類號: | C04B35/195;C04B35/622 |
| 代理公司: | 沈陽東大專利代理有限公司 21109 | 代理人: | 戚羽 |
| 地址: | 110044 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高頻 電感 納米 青石 陶瓷 介質(zhì) 材料 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于無機(jī)非金屬材料領(lǐng)域,涉及一種高頻片式電感用納米堇青石基陶瓷介質(zhì)材料的制備方法。該材料可應(yīng)用于高頻片式電感等電子元器件以及高頻陶瓷封裝的理想介質(zhì)材料領(lǐng)域,屬于工業(yè)功能陶瓷技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
目前應(yīng)用于片式電感用的低燒介質(zhì)材料主要有三類:(1)應(yīng)用于300MHz以下頻率的鐵氧體介質(zhì);(2)應(yīng)用于高頻范圍(500Hz~2GHz)的低介電常數(shù)的陶瓷材料與鐵氧體的復(fù)合體;(3)應(yīng)用于特高頻范圍(2~5GHz)內(nèi)的低介電低損耗(ε<5,tgδ<0.001;1GHz)的陶瓷介質(zhì)材料。
傳統(tǒng)型的多層片式電感材料多采用軟磁性的鐵氧體材料,如NiCuZn鐵氧體材料,雖然其磁導(dǎo)率比較大,能夠達(dá)到幾百至幾千,但它不能用于高頻和特高頻(500Hz~5GHz),因該材料的介電常數(shù)較大(10~15),使多層片式電感器在高頻下產(chǎn)生較大的隨附電容(Cp);同時其電感量也大,而電感器的自諧振頻率是由電感量和隨附電容共同決定的,其關(guān)系式為:
電感(L)和隨附電容(Cp)越大,自諧振頻率反而越小。因此,以傳統(tǒng)的鐵氧體材料作為介質(zhì)材料的多層片式電感無法適用于高頻領(lǐng)域。在片式器件中,主要有兩種材料:電極材料和介質(zhì)材料。其中電極材料一般采用金屬銀(Ag)或銀-鈀合金(Ag/Pd),若采用金屬銀作為內(nèi)電極,介質(zhì)材料要求900℃下燒結(jié);如果介質(zhì)材料在1000℃下燒結(jié),則采用銀鈀電極,可見,對于多層封裝介質(zhì)材料,因電子多層封裝內(nèi)部布有金屬印刷線路,介質(zhì)材料會使信號的傳輸速度受到限制,介電常數(shù)和信號的馳豫時間的關(guān)系為:
式中,Td為信號傳輸馳豫時間,Er為基板的介電常數(shù),d為信號傳輸?shù)木嚯x,C為光速。可見,如果介質(zhì)材料的介電常數(shù)比較低,就能大大減少信號的馳豫,同時為減少信號傳輸中的能耗,要求材料有較小的介電損耗。
目前制備堇青石陶瓷介質(zhì)材料的方法主要有熔融玻璃法、固相燒結(jié)法、溶膠凝膠法、沉淀包裹法等。熔融玻璃法和固相燒結(jié)法的合成溫度1400~1450℃,接近于堇青石的熔點(diǎn),燒結(jié)溫度狹窄,25℃左右,容易過燒,且不利于與金屬Ag/Pd電極低溫共燒(<950℃);溶膠凝膠法和沉淀包裹法制備的粉體團(tuán)聚度高,粉體粒徑分布不規(guī)則均一,團(tuán)聚度高,不適合陶瓷膜片的流延成型。
發(fā)明內(nèi)容
由本發(fā)明所提供的一種高頻片式電感用納米堇青石基陶瓷介質(zhì)材料的制備方法,本發(fā)明具備如下性能:所得納米粉體形貌規(guī)則均一、粉體表面活性高、團(tuán)聚度低,適于流延成型,該材料能夠在低于950℃下與Ag/Pd電極共燒成瓷達(dá)到高頻片式電感用介質(zhì)材料的介電要求(ε<5,tgδ<0.001;1GHz)與熱膨脹要求(3×10-6K-1≤α≤6×10-6K-1,25~300℃)。
本發(fā)明提出的一種高頻片式電感用納米堇青石基陶瓷介質(zhì)材料的制備方法,包括以下步驟:
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