[發(fā)明專利]可撓性太陽能電池裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010209357.2 | 申請日： | 2010-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN102299187A | 公開（公告）日： | 2011-12-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 賴志銘 | 申請（專利權）人： | 富士邁半導體精密工業(yè)（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/048 | 分類號： | H01L31/048;H01L31/05;H01L31/052;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江區(qū)*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 可撓性 太陽能電池 裝置 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種太陽能電池技術，尤其涉及一種可撓性太陽能電池裝置。
背景技術
太陽能電池單元結構主要包括透光基板、設于透光基板的P型半導體材料層及N型半導體材料層。太陽能電池單元主要應用光電轉換原理，將太陽的輻射能光子通過半導體物質轉變?yōu)殡娔?。具體地，當太陽光照射至半導體，一部分光子被表面反射掉，其余部分光子被半導體吸收或透過。被吸收的光子，一部分變成熱能，另一部分光子則同組成半導體的原子價電子碰撞，產生電子-空穴對。如此，光能就以產生電子-空穴對的形式轉變?yōu)殡娔?，并于P型及N型交界面兩邊形成勢壘電場，將電子驅向N區(qū)，空穴驅向P區(qū)，從而使得N區(qū)有過剩電子，P區(qū)有過剩空穴，在P-N結附近形成與勢壘電場方向相反的光生電場。光生電場的一部分除抵消勢壘電場外，還使P型層帶正電，N型半導體層帶負電，在N區(qū)與P區(qū)之間的薄層產生所謂光生伏打電動勢。若分別自P型層及N型半導體層焊接金屬引線，接通負載，則外電路便有電流通過。
可撓性太陽能電池一般是使用染料感光太陽電池、有機化合物太陽能電池或高分子聚合物太陽能電池。但是，由于有機或高分子化合物染料容易因為高溫或因為日光照射使其材料裂化而使得壽命變短，且這些材料的光電轉換效率不高。
現有技術中，使用半導體材料可增加可撓性太陽能電池的壽命，但是，由于半導體材料吸收頻譜的特性或厚度造成了無法透光及可撓性差。在日常生活中，設置于室外的玻璃窗一般用來采光，所以通常將太陽能電池貼附于該玻璃窗處以吸收光，但如何使貼附有該太陽能電池的玻璃窗仍能夠保持良好的透光性成為了有待解決的問題。
發(fā)明內容
有鑒于此，有必要提供一種具有良好的可撓性同時具有透光性的可撓性太陽能電池裝置。
一種可撓性太陽能電池裝置，其包括透光基板、與該透光基板相對間隔設置的透光面板、多個第一太陽能電池單元、多個第二太陽能電池單元及具有透光性的絕緣間隔體。該第一太陽能電池單元與該第二太陽能電池單元沿該透光面板的延伸方向交替間隔夾設于該透光基板與透光面板之間。該第一太陽能電池單元與相鄰的第二太陽能電池單元由該絕緣間隔體隔開。該第一太陽能電池單元及該第二太陽能電池單元的厚度小于或等于50微米。
與現有技術相比，本發(fā)明實施例的每個第一太陽能電池單元及每個第二太陽能電池單元的厚度小于或等于50微米，可保證良好的可撓性，且每個第一太陽能電池單元與相鄰的第二太陽能電池單元由具有透光性的絕緣間隔體隔開，如此，可以使貼附有該太陽能電池的玻璃窗仍能夠保持良好的透光性。
附圖說明
圖1為本發(fā)明第一實施方式提供的可撓性太陽能電池裝置的示意圖。
圖2為本發(fā)明第二實施方式提供的可撓性太陽能電池裝置的示意圖。
圖3為本發(fā)明第三實施方式提供的可撓性太陽能電池裝置的示意圖。
圖4為本發(fā)明第四實施方式提供的可撓性太陽能電池裝置的示意圖。
主要元件符號說明
可撓性太陽能電池裝置????????100、200、300、400
透光基板????????????????????10、210、310、410
第一電路層??????????????????20、220、320、420
第一太陽能電池單元??????????30、230、330、430
第二太陽能電池單元??????????70、270、370、470
絕緣間隔體??????????????????40、240、340、440
第二電路層??????????????????50、250、350、450
透光面板????????????????????60、260、360、460
第一背電極?????????????31、231
P型半導體層????????????32、72、232、272
P-N過渡層??????????????33、73、233、273
N型半導體層????????????34、74、234、274
第一前電極?????????????35、235
第二背電極?????????????71、271
第二前電極?????????????75、275
絕緣層?????????????????380
透光面?????????????????361、461
聚光單元???????????????362、462
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
