[發明專利]IGZO基氧化物材料和制備IGZO基氧化物材料的方法

有效

• 申請號: 201010209336.0
• 申請日: 2010-06-21
• 公開（公告）號: CN101930805A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 梅田賢一;鈴木真之;田中淳
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: H01B1/08
• 分類號: H01B1/08;H01B13/00;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 陳平

1.一種IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由組成式In_2-xGa_xZnO_4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe₂O₄的晶體結構的IGZO的單相形成。

2.根據權利要求1所述的IGZO基氧化物材料，其中所述IGZO基氧化物材料的電阻率的值為1×10²Ω·cm至1×10⁹Ω·cm。

3.根據權利要求1所述的IGZO基氧化物材料，其中所述IGZO基氧化物材料為半導體。

4.根據權利要求1所述的IGZO基氧化物材料，其中組成式中的x滿足0.80≤x≤1.05。

5.根據權利要求4所述的IGZO基氧化物材料，其中組成式中的x滿足0.80≤x＜1.00。

6.根據權利要求1所述的IGZO基氧化物材料，其中所述IGZO基氧化物材料的載流子濃度為大于10¹³cm^-3至小于10¹⁷cm^-3。

7.一種制備根據權利要求1所述的IGZO基氧化物材料的方法，所述方法包括：在含氧氣氛中，在最高退火溫度為1200℃至1400℃和從所述最高退火溫度至300℃的平均降溫速率為50℃/hr至500℃/hr的條件下，將包括In、Ga和Zn的混合材料退火。

8.根據權利要求7所述的制備IGZO基氧化物材料的方法，其中所述平均降溫速率為100℃/hr至200℃/hr。

9.根據權利要求7所述的制備IGZO基氧化物材料的方法，其中所述最高退火溫度為1350℃至1400℃。

10.一種制備根據權利要求1至6中任一項所述的IGZO基氧化物材料的方法，所述方法包括：

制備IGZO基氧化物，所述IGZO基氧化物由組成式In_2-xGa_xZnO_4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且δ＞0，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe₂O₄的晶體結構的IGZO的單相形成；和

通過將所述IGZO基氧化物在含氧的氧化氣氛中進行后退火，將所述IGZO基氧化物的組成式中的δ的范圍控制到0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153。