[發明專利]納米線薄膜及其制造方法

有效

• 申請號: 201010208087.3
• 申請日: 2010-06-24
• 公開（公告）號: CN102294852A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 許嘉麟
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: B32B9/04
• 分類號: B32B9/04;B32B27/08;B82B1/00;B82B3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種納米線薄膜及其制造方法。

背景技術

在高度集成化浪潮的推動下，現代技術對納米尺度功能器件的需求將越來越迫切。納米線具有極高的表面積對體積比，此一維結構在表面特征、機械性質、量子效應等方面皆有不俗的表現，因此根據不同材料的特性，其納米線結構也相應的衍生了各種不同的應用，諸如：氣體傳感器、場效晶體管以及發光組件等。

然而，在利用納米線制作組件的難度在于，如何克服其尺寸問題并加以對位、控制是一個難點。倘若能夠控制納米線使之大量規則排列，將會使得納米線能夠順利的導入量產制程。目前已知的制備納米線薄膜方法大致有：介電泳(Dielectrophoresis)、微流道(Micro-fluid?channel)、吹膜(Blown?filmextrusion)等方法，而以上制程皆需將納米線自成長基板取下，再均勻分散至溶劑中，屬于濕式制程，其在準備或排列上需耗費較長時間，并且在將納米線自成長基板上取下的過程中，很容易損壞納米線的結構而影響了其功能性。

發明內容

有鑒于此，提供一種制程簡單并且成本較低的納米線薄膜及其制造方法實為必要。

一種納米線薄膜，其中，該納米線薄膜包括第一基板以及依次層疊于該第一基板上的納米線層、熱塑性高分子膜層及第二基板，其中該納米線層由多個納米線組成，該納米線的延伸方向平行于該第一基板。

一種納米線薄膜的制造方法，其包括如下步驟：提供一第一基板，該第一基板具有第一表面，該第一表面上垂直生長有納米線陣列；提供一第二基板，該第二基板具有第二表面，在該第二表面上涂覆一層溶解有熱塑性高分子材料的溶液；加熱該第二基板以蒸發該溶液的溶劑以使該熱塑性高分子材料析出成膜，進一步加熱以軟化該熱塑性高分子膜；將該第二基板與該第一基板相互蓋合以使該第二基板上被軟化后的該熱塑性高分子膜與生長于該第一基板上的納米線陣列相互貼合；滾輪壓合該相互蓋合的第一基板與第二基板。

與現有技術相比，本發明提供的該納米線薄膜具有大面積規則排列的納米線，便于后續的使用。該納米線薄膜的制造方法操作簡單，能夠對生長于基板上的納米線陣列直接進行加工，無須將納米線陣列由生長基板上取下，從而不但避免了納米線陣列在由生長基板上取下的過程中受到損傷，而且可以實現納米線薄膜的規模化生產。

附圖說明

圖1是本發明實施例所提供的該納米線薄膜的結構示意圖。

圖2是圖1所示的該納米線薄膜的制造流程示意圖。

圖3是圖1所示的該納米線薄膜中納米線的電鏡照片。

主要元件符號說明

納米線薄膜????????100

第一基板??????????10

第一表面??????????11

納米線陣列????????12

納米線層??????????20

熱塑性高分子膜層??30

第二基板??????????40

第二表面??????????41

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明作進一步詳細說明。

請參見圖1，本發明實施例所提供的納米線薄膜100，其包括第一基板10以及依次層疊于該第一基板10上的納米線層20、熱塑性高分子膜層30以及第二基板40。

該納米線層20由多個平行排列的納米線組成，并且該納米線的延伸方向平行于該第一基板10。在本實施例中，該納米線層20為碳納米線層，可以理解的，該納米線層20還可以是其它材料的納米線層，例如硅納米線層、氧化鋅納米線層等，并且該多個納米線也可以不相互平行。

如圖2所示，本發明還提供了上述納米線薄膜100的制造方法，其包括如下步驟。

(1)提供一第一基板10，該第一基板10具有第一表面11，該第一表面11上垂直生長有納米線陣列12。

在本實施例中，該第一基板10為硅基板，該納米線陣列12為直接生長在該硅基板上的碳納米線陣列，優選的，該碳納米線陣列為超順排列的碳納米線陣列。

可以理解的，該第一基板10還可以是其它的剛性基板或者可撓性基板，該納米線陣列12可以是通過移植等方法由其它適合于納米線生長的基板上移植到該第一基板10上的。

可以理解的，該納米線陣列12可以是由其它材料所形成的納米線陣列，例如硅納米線陣列、氧化鋅納米陣列等。

(2)提供一第二基板40，該第二基板具有第二表面41，采用旋轉涂布的方式在該第二表面41上涂覆一層溶解有熱塑性高分子材料的溶液。