[發明專利]一種提高熱敏電阻器生產效率的方法

有效

• 申請號: 201010207770.5
• 申請日: 2010-06-23
• 公開（公告）號: CN101894641A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 潘丁鋒;劉錦俊;劉錦頌;陳億裕
• 申請（專利權）人: 深圳市三寶創業科技有限公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種正溫度系數熱敏電阻器PTCR的制備方法，其包括以下步驟：

(1)預燒合成居里溫度為40℃的主片料和居里溫度為140℃的負片料；

(2)按照如下二元一次方程組計算主片料和負片料的質量：

a+b＝m②，

其中a為主片料的質量、b為負片料的質量、T_c為所要制備的PTCR產品的居里溫度、m為所要投料的粉料質量；

(3)將所稱量的主片料和負片料經過球磨混料→造粒→成型→燒結→電極，制得PTCR芯片。

2.如權利要去1所述的PTCR制備方法，其中還包括PTCR芯片進行焊接引線、包封、測試、成品包裝。

3.如權利要求1或2所述的PTCR制備方法，其中制備居里溫度為40℃的主片料包括以下步驟：

(1)按照如下材料組成：(Ba_0.783Sr_0.217)TiO₃+3％molTiO₂+0.105％molMn²⁺+(1.9～2.5)gY₂O₃/kg+(4.6～5.5)gSiO₂/kg，稱量原材料，包括：BaCO₃、SrCO₃、TiO₂、Mn(NO₃)₂或MnCO₃、Y₂O₃、SiO₂。

(2)將稱取的各原料按料∶球(瑪瑙球)∶水(去離子水)＝1∶1.5∶1.2～1.5的重量比，置球磨設備中球磨16～24小時，出料烘干后在高溫爐中燒結，在1150±20℃左右的最高溫度下保溫2～4小時，即獲得居里溫度為40℃的主片預燒料，其主晶相為(Ba，Sr)TiO₃。

4.如權利要求1或2所述的PTCR制備方法，其中制備居里溫度為140℃的負片料包括以下步驟：

(1)按照如下材料組成：(Ba_0.93Pb_0.05Ca_0.02)TiO3+2.6％molTiO2+0.085％molMn²⁺+(1.9～2.5)gY₂O₃/kg+(4.6～5.5)gSiO₂/kg，稱量原材料，包括：BaCO₃、CaCO₃、Pb₃O₄或PbO或Pb₂O₃、TiO₂、Mn(NO₃)₂或MnCO₃、Y₂O₃、SiO₂。

(2)將稱取的各原料按料∶球(瑪瑙球)∶水(去離子水)＝1∶1.5∶1.2～1.5的重量比，置球磨設備中球磨16～24小時，出料烘干后在高溫爐中燒結，在1150±20℃左右的最高溫度下保溫2～4小時，即獲得居里溫度為140℃的負片預燒料，其主晶相為(Ba，Pb)TiO₃。

5.如權利要求3所述的PTCR制備方法，其中原材料BaCO₃、SrCO₃、Y₂O₃、TiO₂、Mn(NO₃)₂或MnCO₃、SiO₂的純度為分析純以上。

6.如權利要求4所述的PTCR制備方法，其中原材料BaCO₃、CaCO₃、TiO₂、Mn(NO₃)₂或MnCO₃、Y₂O₃、SiO₂的純度為分析純以上，而Pb₃O₄或PbO或Pb₂O₃的純度為化學純以上。