[發明專利]基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器及其制備方法

無效

• 申請號: 201010207763.5
• 申請日: 2010-06-21
• 公開（公告）號: CN101887925A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 李景;顧濟華;蔣春萍;王亦;馬仙梅
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陳忠輝

1.基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器，所述鎂鋅氧化物薄膜生成于襯底材料上，且所述紫外光探測器具有生成于鎂鋅氧化物薄膜之上的金屬薄膜叉指電極，其特征在于：所述金屬薄膜叉指電極間隔地在其指電極與鎂鋅氧化物薄膜之間夾設有導電層。

2.根據權利要求1所述的基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器，其特征在于：所述導電層可選至少包括鉬Mo、鉭Ta、鈦Ti、鎢W、鎳Ni的金屬薄膜，所述導電層薄膜厚度介于1nm～100nm。

3.根據權利要求1所述的基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器，其特征在于：所述鎂鋅氧化物薄膜的構成為Mg_xZn_1-xO，其中0.01＜x＜0.8。

4.根據權利要求1或3所述的基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器，其特征在于：所述鎂鋅氧化物薄膜為與襯底材料晶格匹配的厚度介于5nm～1μm的薄膜。

5.根據權利要求1所述的基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器，其特征在于：所述金屬薄膜叉指電極為厚度介于1nm～200nm的金Au或鋁Al指狀薄膜，所述導電層與金屬薄膜叉指電極間形成歐姆接觸。

6.根據權利要求1所述的基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器，其特征在于：所述襯底材料之一為硅Si襯底。

7.權利要求1所述基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器的制備方法，其特征步驟包括：

Ⅰ、預制備表面清潔、干燥的硅片；

Ⅱ、真空條件下，在硅片表面生成鎂鋅氧化物薄膜；

Ⅲ、在鎂鋅氧化物薄膜表面通過光刻法形成指寬和間距均為5μm、指長為500μm～2000μm的叉指掩模結構；

Ⅳ、采用電子束蒸發的方法在叉指掩模結構上依次沉積導電層及金屬薄膜。

8.根據權利要求7所述的基于鎂鋅氧化物薄膜的紫外光探測器的制備方法，其特征在于：步驟Ⅱ在硅片表面生成鎂鋅氧化物薄膜的方法可選包括真空條件下的磁控濺射法、物理氣相沉積法、電子束蒸發法、脈沖激光沉積法或分子束外延法。