[發明專利]非直線錐形倒錐耦合器結構無效
| 申請號： | 201010207340.3 | 申請日： | 2010-06-13 |
| 公開（公告）號： | CN101881861A | 公開（公告）日： | 2010-11-10 |
| 發明（設計）人： | 任光輝;陳少武 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | G02B6/26 | 分類號： | G02B6/26;G02B6/122 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直線 錐形 耦合器 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種非直線錐形倒錐耦合器結構，包括：
一襯底；
一埋氧層，該埋氧層制作在襯底上；
一頂層硅，該頂層硅制作在埋氧層上，可以有效的防止光泄漏到襯底中，該頂層硅的一端為條形波導，另一端為倒錐耦合器。
2.根據權利要求1所述的非直線錐形倒錐耦合器結構，其中襯底的材料為硅。
3.根據權利要求1所述的非直線錐形倒錐耦合器結構，其中埋氧層的材料為二氧化硅。
4.根據權利要求1所述的非直線錐形倒錐耦合器結構，其中倒錐耦合器為漸變的指數型或二次方型結構。
5.根據權利要求4所述的非直線錐形倒錐耦合器結構，其中指數型或二次方型的倒錐耦合器的工作波長為1500nm到1600nm，其插入損耗的波動小于0.3dB。
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