[發明專利]阻變隨機訪問存儲器件及制造方法

有效

• 申請號: 201010207339.0
• 申請日: 2010-06-13
• 公開（公告）號: CN102280465A
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 康晉鋒;高濱;陳沅沙;孫兵;劉力鋒;劉曉彥;韓汝琦
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L29/872;H01L21/822
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種阻變隨機訪問存儲器件，包括設置在位線和字線之間的存儲單元，所述存儲單元包括

阻變元件，以及

肖特基二極管，所述肖特基二極管與所述阻變元件串聯連接，

其中，所述肖特基包括彼此接觸的金屬層和半導體層，并且金屬層與半導體層之間的界面呈非平面的形狀。

2.根據權利要求1所述的阻變隨機訪問存儲器件，還包括絕緣層，其中在所述絕緣層的凹槽內形成所述存儲單元，使得所述肖特基二極管的半導體層以共形的方式設置在所述凹槽的底部和側面上。

3.根據權利要求1或2所述的阻變隨機存儲器件，其中至少兩個存儲單元在垂直方向上堆疊，并且還包括用于在垂直方向上隔離相鄰的存儲單元的隔離層。

4.一種制造根據權利要求1所述的阻變隨機存儲器件的方法，包括以下步驟：

a)在襯底上形成位線；

b)在襯底上的絕緣層中形成凹槽，在凹槽的底部露出位線的表面；

c)在凹槽中形成共形的多晶硅層；

d)在多晶硅層中摻入雜質以形成p摻雜多晶硅層；

e)在p摻雜多晶硅層上形成第一金屬層；

f)在第一金屬層上形成阻變材料層；

g)在阻變材料層上形成第二金屬層；以及

h)在第二金屬層上形成字線。

5.根據權利要求4所述的方法，在步驟h)之后還包括

g)在第二金屬層上形成隔離層，

其中，重復步驟a)-h)，從而形成在垂直方向上堆疊的至少兩個存儲單元。

6.根據權利要求4或5所述的方法，其中所述襯底為硅襯底，所述步驟a)包括以下步驟：

a1)在硅襯底上形成氧化硅層；

a2)在氧化硅層上形成用于字線的金屬層；以及

a3)對金屬層進行圖案化以形成位線。

7.根據權利要求4或5所述的方法，其中所述步驟b)包括以下步驟：

b1)在襯底上形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋位線；

b2)對絕緣層進行圖案化，以形成所述凹槽。

8.根據權利要求4或5所述的方法，其中在所述步驟d)中采用的摻雜劑為硼或氟化硼。

9.根據權利要求4或5所述的方法，其中在所述步驟d)中還包括對p摻雜多晶硅層進行退火以激活摻雜劑。

10.根據權利要求4或5所述的方法，在所述步驟g)和h)之間還包括平整半導體結構的表面，以去除位于所述凹槽外部的導電材料。