[發明專利]硅晶片表面的制絨方法無效

申請號：	201010206901.8	申請日：	2010-06-23
公開（公告）號：	CN102002682A	公開（公告）日：	2011-04-06
發明（設計）人：	沈漢明	申請（專利權）人：	浙江百力達太陽能有限公司
主分類號：	C23C16/24	分類號：	C23C16/24;C30B33/00;H01L31/0236;H01L31/18
代理公司：	杭州金源通匯專利事務所(普通合伙) 33236	代理人：	唐迅
地址：	314512 浙江省嘉興市***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	晶片表面方法
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【權利要求書】：

1.一種硅晶片表面的制絨方法，包括對硅晶片表面的清洗凈化，其特征是將清洗凈化后的硅晶片兩兩疊合置于氣相沉積反應爐中，當氣相沉積反應爐的溫度控制在1050℃至1200℃，真空度控制在1x10^-2Pa至1x10^-4Pa的條件下，將三氯氫硅和氫氣按化學反應式滿足反應所需的摩爾比的量混合，通入氣相沉積反應爐中，使晶體硅沉積在兩兩疊合后的硅晶片外露表面，并形成硅晶粒絨面，其化學反應式為：SiHCl₃+H₂＝Si+3HCl；所形成的硅晶粒絨面的厚度由氣相沉積反應爐內空間氣相反應物的摩爾濃度和沉積時間來控制，沉積完成后，通入氮氣，使氣相沉積反應爐內降溫升壓致常溫常壓，取出沉積有硅晶粒絨面的硅晶片。

2.根據權利要求1所述的硅晶片表面的制絨方法，其特征是所述的所形成的硅晶粒絨面的厚度由氣相沉積反應爐內空間氣相反應物的摩爾濃度和沉積時間來控制是以每立方米2摩爾濃度的基準下沉積時間控制在0.3小時至0.5小時，所得硅晶粒絨面厚度為5um至8um。?

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