[發(fā)明專利]像素結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010206818.0 | 申請(qǐng)日: | 2010-06-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102290412A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉錦璋;詹建廷;蘇國(guó)彰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 勝華科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/02 | 分類號(hào): | H01L27/02;H01L29/423;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 劉芳 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)中縣潭*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種像素結(jié)構(gòu),包括:
一掃描線,具有一主線以及一分支;
一半導(dǎo)體層,配置于該主線以及該分支上,以分別定義出一第一柵極以及一第二柵極;
一數(shù)據(jù)線,與該主線交錯(cuò);
一源極,直接連接該數(shù)據(jù)線,配置于該半導(dǎo)體層上,且位于該第一柵極與該第二柵極之間;
一第一漏極,接觸該半導(dǎo)體層,且該第一柵極位于該第一漏極以及該源極之間;
一第二漏極,接觸該半導(dǎo)體層,且該第二柵極位于該第二漏極以及該源極之間;
一第三柵極,電性連接該掃描線;
一第一像素電極,電性連接該第一漏極;
以及
一第二像素電極,電性連接該第二漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其中該第三柵極、該第一像素電極以及該第二像素電極由相同的一材質(zhì)所構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu),其中該材質(zhì)包括一透明導(dǎo)電材質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),還包括一第一絕緣層覆蓋該掃描線,且該第一絕緣層具有一第一柵極接觸開(kāi)口以局部地暴露出該掃描線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu),還包括一第二絕緣層覆蓋該數(shù)據(jù)線、該第一漏極以及該第二漏極,其中該第三柵極、該第一像素電極以及該第二像素電極設(shè)于該第二絕緣層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu),其中該第二絕緣層具有:
一第二柵極接觸開(kāi)口,對(duì)齊該第一柵極接觸開(kāi)口配置,以使該第三柵極通過(guò)該第一柵極接觸開(kāi)口以及該第二柵極接觸開(kāi)口電性連接該掃描線;
一第一漏極接觸開(kāi)口,局部地暴露出該第一漏極,以使該第一像素電極通過(guò)該第一漏極接觸開(kāi)口電性連接該第一漏極;
以及
一第二漏極接觸開(kāi)口,局部地暴露出該第二漏極,以使該第二像素電極通過(guò)該第二漏極接觸開(kāi)口電性連接該第二漏極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其中該掃描線具有一凸出部,連接于該分支與該主線之間,且該源極位于該凸出部以及該數(shù)據(jù)線之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其中該第一柵極、該第三柵極、該半導(dǎo)體層、該源極以及該第一漏極共同構(gòu)成一第一有源元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其中該第二柵極、該半導(dǎo)體層、該源極以及該第二漏極共同構(gòu)成一第二有源元件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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