[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010206738.5
• 申請日: 2006-09-29
• 公開（公告）號: CN101887918A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 秋元健吾;本田達(dá)也;曾根寬人
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/04;H01L21/34;H01L27/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐予紅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

柵極；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括鄰近柵極的溝道區(qū)，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦；

與氧化物半導(dǎo)體層直接接觸的源極和漏極，所述源極和漏極中的每一個包括金屬或金屬氮化物；以及

與氧化物半導(dǎo)體層接觸的金屬氧化物膜，

其中溝道區(qū)實質(zhì)上是本征的。

2.一種半導(dǎo)體器件，包括：

柵極；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括鄰近柵極的溝道區(qū)，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦；

柵絕緣膜，所述柵絕緣膜包括氧化鋁并且位于柵極和氧化物半導(dǎo)體層之間；以及

與氧化物半導(dǎo)體層接觸的源極和漏極，所述源極和漏極中的每一個包括金屬或金屬氮化物；

其中溝道區(qū)實質(zhì)上是本征的。

3.一種半導(dǎo)體器件，包括：

柵極；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括鄰近柵極的溝道區(qū)，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦；

柵絕緣膜，所述柵絕緣膜包括多個絕緣層并且位于柵極和氧化物半導(dǎo)體層之間，其中多個絕緣層的至少其中之一包括氧化鋁；以及

與氧化物半導(dǎo)體層接觸的源極和漏極，所述源極和漏極中的每一個包括金屬或金屬氮化物；

其中溝道區(qū)實質(zhì)上是本征的。

4.一種半導(dǎo)體器件，包括：

柵極；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括柵極上方的溝道區(qū)，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦；

柵極和氧化物半導(dǎo)體層之間的柵絕緣膜；以及

氧化物半導(dǎo)體層上的、包括氧化鋁的鈍化膜。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

與氧化物半導(dǎo)體層直接接觸的源極和漏極，所述源極和漏極中的每一個包括金屬或金屬氮化物。

6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中溝道區(qū)實質(zhì)上是本征的。

7.一種半導(dǎo)體器件，包括：

柵極；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括柵極上方的溝道區(qū)，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦；

柵極和氧化物半導(dǎo)體層之間的柵絕緣膜；以及

氧化物半導(dǎo)體層上的、包括多個絕緣膜的鈍化膜，

其中多個絕緣膜的至少其中之一包括氧化鋁。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

與氧化物半導(dǎo)體層直接接觸的源極和漏極，所述源極和漏極中的每一個包括金屬或金屬氮化物。

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

柵極；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括柵極上方的溝道區(qū)，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦；

柵極和氧化物半導(dǎo)體層之間的柵絕緣膜；以及

在氧化物半導(dǎo)體層上形成的、以便防止水汽進入氧化物半導(dǎo)體層的鈍化膜，

其中溝道區(qū)實質(zhì)上是本征的。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

與氧化物半導(dǎo)體層直接接觸的源極和漏極，所述源極和漏極中的每一個包括金屬或金屬氮化物。

11.如權(quán)利要求1、2、3、4和9中的任何一項所述的半導(dǎo)體器件，其中氧化物半導(dǎo)體層包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半導(dǎo)體。

12.一種顯示器件，包括：

柵極；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括鄰近柵極的溝道區(qū)，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦；

與氧化物半導(dǎo)體層直接接觸的源極和漏極，所述源極和漏極中的每一個包括金屬或金屬氮化物；

與源極和漏極的其中之一電接觸的像素電極；以及

與氧化物半導(dǎo)體層接觸的金屬氧化膜，

其中溝道區(qū)實質(zhì)上是本征的。

13.一種顯示器件，包括：

柵極；

氧化物半導(dǎo)體層，所述氧化物半導(dǎo)體層包括鄰近柵極的溝道區(qū)，所述氧化物半導(dǎo)體層包括銦；

柵絕緣膜，所述柵絕緣膜包括氧化鋁并且位于柵極和氧化物半導(dǎo)體層之間；

與氧化物半導(dǎo)體層直接接觸的源極和漏極，所述源極和漏極中的每一個包括金屬或金屬氮化物；以及

與源極和漏極的其中之一電接觸的像素電極，

其中溝道區(qū)實質(zhì)上是本征的。