[發明專利]微型二維離子遷移譜儀

有效

• 申請號: 201010206535.6
• 申請日: 2010-06-21
• 公開（公告）號: CN101881752A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 陳池來;趙聰;孔德義;殷世平;王煥欽;高鈞
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: G01N27/62
• 分類號: G01N27/62
• 代理公司: 合肥天明專利事務所 34115
• 代理人: 奚華保

1.微型二維離子遷移譜儀，包括離化源(23)、氣路、電路和二維離子遷移管，所述的二維離子遷移管是由兩對相互平行的支撐梁即上支撐梁(29)和下支撐梁(30)支撐的三片鍍有電極的相互平行的基板組成，所述的基板分別是第一基板(3)、第二基板(16)和第三基板(19)，所述的第一基板(3)置有吸氣分離上電極(6)、高場分離上電極(9)和檢測上電極(12)，所述的第二基板(16)置有高場分離下電極(10)、檢測下電極(13)和吸氣分離小孔(21)，所述的第三基板(19)置有吸氣分離下電極(20)和吸氣分離地電極(22)，第二基板(16)位于第一基板(3)和第三基板(19)中間，第一基板(3)、第二基板(16)和第三基板(19)由兩對相互平行的支撐梁即上支撐梁(29)和下支撐梁(30)支撐構成兩個矩形氣流通道，分別稱為第一氣流通道(28)和第二氣流通道(27)，所述的第一氣流通道(28)由第一基板(3)、第二基板(16)和上支撐梁(29)組成，兩端分別為靠近吸氣分離上電極(6)的上進氣口(2)和靠近檢測上電極(12)的上出氣口(14)，其間的氣體流動動力由連接上出氣口(14)的第一微氣泵(15)產生，所述的第二氣流通道(27)由第二基板(16)、第三基板(19)和下支撐梁(30)組成，兩端分別為靠近吸氣分離地電極(22)的下進氣口(24)和靠近檢測下電極(13)的下出氣口(18)，其間的氣體流動動力由連接下出氣口(18)的第二微氣泵(17)產生，吸氣分離上電極(6)、吸氣分離下電極(20)、吸氣分離地電極(22)、吸氣分離小孔(21)及其間的氣流通道構成吸氣式離子遷移管(4)，高場分離上電極(9)和高場分離下電極(10)及其間的氣流通道構成高場不對稱波形離子遷移管(7)。

2.根據權利要求1所述的微型二維離子遷移譜儀，其特征是：所述的電路包括吸氣分離電路(5)、高場分離電路(8)和檢測電路(11)，為二維離子遷移管提供直流牽引電壓、高頻分離電壓、低頻掃描電壓和檢測電壓，所述的吸氣分離電路(5)為吸氣分離上電極(6)和吸氣分離下電極(20)提供直流牽引電壓，所述的高場分離電路(8)為高場分離上電極(9)和高場分離下電極(10)提供直流牽引電壓、高頻分離電壓和低頻掃描電壓，所述的檢測電路(11)為檢測上電極(12)和檢測下電極(13)提供檢測電壓并檢測上電極(12)和檢測下電極(13)間的電流強度，所述的直流牽引電壓即由電路加于吸氣式離子遷移管(4)和高場不對稱波形離子遷移管(7)內各電極上的直流電壓，其中吸氣分離地電極(22)接地處于零電位，直流牽引電壓在二維離子遷移管內產生直流牽引電場，所述的高頻分離電壓和低頻掃描電壓由高場分離電路(8)產生，在高場不對稱離子遷移管(7)內產生高頻分離電場和低頻掃描電場。

3.根據權利要求1所述的微型二維離子遷移譜儀，其特征是：所述的離化源(23)為離子產生裝置，所述的吸氣分離上電極(6)由一系列電極組成，所述的吸氣分離小孔(21)由一系列貫穿第二基板(16)的小孔組成；

4.根據權利要求1所述的微型二維離子遷移譜儀，其特征是：所述的第一基板(3)、第二基板(16)、第三基板(19)、上支撐梁(29)、下支撐梁(30)的制作材料包括硅片、陶瓷和玻璃。

5.根據權利要求1所述的微型二維離子遷移譜儀，其特征是：所述的吸氣分離上電極(6)、高場分離上電極(9)、檢測上電極(12)、高場分離下電極(10)、檢測下電極(13)、吸氣分離上電極(6)、吸氣分離下電極(20)和吸氣分離地電極(22)的制作材料包括鈦、金、鉑、銀或者銅。